GD5F4GM5系列现已量产，容量高达4Gb

GD5F4GM5系列现已量产，容量高达4Gb，开启国产SLC NAND Flash 24nm时代。

兆易创新今日正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化，并已成功量产，标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。该创新技术产品有助于进一步丰富兆易创新的存储类产品线，为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。

如今各类电子设备的功能日趋复杂，在一些新兴的、甚至紧凑型应用中都需要预装嵌入式操作系统，对存储容量的需求在不断提升。高可靠、大容量的代码存储需求成为业界广泛诉求。SLC NAND在市场兼具性价比的同时，能够提供给客户更大的容量选择。基于此，兆易创新在确保高可靠性的同时，成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顾容量和性能的提升，更好地服务于代码存储领域，致力于为5G、物联网、网通、安防，以及包括可穿戴式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备成本优势的解决方案。

目前，GD5F4GM5系列已全面量产，代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准。该产品采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部ECC纠错算法，擦写次数可达5万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

GD5F4GM5系列产品特性

兼容1.8V/3.3V供电电压

支持4KB Cache随机读取

四通道SPI接口，Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s

内置8bit ECC纠错技术

支持标准WSON8，TFBGA24封装

支持工业级-40~85℃温度范围

责任编辑：lq