美光全球首创LPDDR5内存+UFS闪存，性能爆增

继今年3月首次公开之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已经做好了大规模量产的准备。美光uMCP5在全球首次通过MCP多芯片封装的方式，将LPDDR5内存、UFS闪存整合在一颗芯片内，可大大提升智能手机的存储密度，节省内部空间、成本、功耗。
 

据悉，美光在单颗芯片内，集成了自家的LPDDR5内存芯片、NAND闪存芯片、UFS 3.1控制器，TFBGA封装格式，电压1.8V，工作温度从-25℃到+85℃。

美光 uMCP5 的主要特性包括：

续航时间大幅延长：在 uMCP4 的成功基础上，美光将 LPDDR5 内存用于 uMCP5，实现了 5G 网络的完全利用;与 LPDDR4 相比，功耗降低了近 20%。此外，美光的 UFS 3.1 功耗比其前代产品 UFS 2.1 减少 40%。对于智能手机用户而言，即使在使用耗电的多媒体应用程序或数据密集型功能(如 AI、AR、图像识别、游戏、沉浸式娱乐等)时，也能有更长的续航时间。

下载速度快：与美光此前基于 UFS 2.1 的解决方案相比，美光 uMCP5 释放了 5G 性能的全部潜力，持续下载速度可以加快 20%。

耐用度提升：美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了约 66%，可以允许 5,000 次擦写，成倍增加了设备的可擦写次数和数据量，而不会降低设备性能。即使对于重度手机用户而言，也能有效延长智能手机的使用寿命。

业界领先的带宽：采用 uMCP5 的设备最高将支持6,400 Mb/s 的 DRAM 带宽，与上一代 LPDDR4x 的4,266 Mb/s 带宽相比，增加了 50%。这使移动用户可以同时运行多个应用程序而不会影响体验。增加的带宽也使智能手机中的 AI计算摄影获得了更高质量的图像处理，为用户带来专业的摄影能力。美光是业界首家支持全速 LPDDR5 的供应商。

最新闪存性能：美光 uMCP5 还采用了最快的 UFS 3.1 存储接口，与其上一代 UFS 2.1 产品相比，顺序读取性能提高了一倍，写入速度加快了 20%。

节省空间的紧凑设计：美光利用其多芯片封装专业知识以及所掌握的制造和封装技术，以最紧凑的尺寸设计 uMCP5，从而实现了更纤薄、更灵活的智能手机设计。与独立版本的 LPDDR5 和 UFS 解决方案相比，美光 uMCP5 多芯片封装可节约 55% 的印刷电路板空间。节省的空间使手机制造商能够最大限度地提升电池容量或增加其他功能，例如摄像头、手势元件或传感器。美光可提供高达 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多个容量配置选择。
 
美光uMCP5提供四种容量组合，分别为8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB。
 
本文由电子发烧友综合报道，内容参考自美光、CnBeta，转载请注明以上来源。