华虹半导体助力大容量 MCU 解决方案，多方面缩小芯片面积

华虹半导体最新推出 90 nm 超低漏电嵌入式闪存工艺平台，助力大容量 MCU 解决方案

全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出

90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体 0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。

华虹半导体新近推出的 90 纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台 1.5V核心 N 型和 P 型 MOS 晶体管漏电达到 0.2pA/μm，可有效延长 MCU 设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP 具有 10 万至 50 万次擦写次数、读取速度达 30ns 等独特优势。同时逻辑单元库集成度高，达到 400K

gate/mm2 以上，能够帮助客户多方面缩小芯片面积。

该工艺平台的最大优势是集成了公司自有专利的分离栅 NORD 嵌入式闪存技术，在 90 纳米工艺下拥有目前业界最小元胞尺寸和面积最小的嵌入式 NORflashIP，而且具有光罩层数少的优势，帮助客户进一步降低MCU、尤其是大容量 MCU 产品的制造成本。该平台同时支持射频（RF）、eFlash 和 EEPROM。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差异化技术的创新和不断优化，为客户提供市场急需的、成本效益高的工艺和技术服务。在精进 8 英寸平台的同时，加快 12 英寸产线的产能扩充和技术研发。物联网、汽车电子是 MCU应用的增量市场， 此次 90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的推出，进一步扩大了华虹半导体 MCU客户群在超低功耗的市场应用领域的代工选择空间。”（来源：华虹宏力）

责任编辑：xj

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