MRAM拥有着广泛的应用领域，它的优异性能是什么

‘非易失性’是指MRAM单元在关断电源后仍可保持完整记亿，功能虽与闪存类同，但本质各异。

闪存的非易失性不是闪存的固有属性，而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成，也就是由晶体管、电阻及电容等元器件组合而成的记忆单元，实际上是靠微小电容器存储的一份电荷来保存信息，如果断电则这份电荷就会耗尽。但MRAM单元却简单多了，它的四层薄膜中有三层都是铁磁性材料，写入自由层的数据：0或Ⅰ状态，设置的原理基于磁性材料固有的磁滞效应具有永久性，这是铁磁性材料的固有属性，因此在突然断电时也不会丢失信息，存入数据的非易失性自然得到保证。而且保存数据并不耗电。

随机存取

‘随机存取’是指中央处理器读取资料时不必从头开始，随时可用相同的速率从MRAM芯片的任何部位读取信息，这与当前计算机在开机时须重新从硬盘向RAM内存装载信息不同，因mram芯片在关机前已将程序和数据保存在本地内存之中。因此MRAM芯片取消计算机开机的等待时间，也就是启动快。而且随机存取速率也快，因为MRAM元件是一个单体，数据存储以磁畴取向为依据，存‘0’或‘1’，原理简明、运行快捷。不像闪存那样随机存取有赖于晶体管的导通、截止以及电路传输。

存储密度

MRAM与闪存都属于小规格芯片，所占空间极小，存储密度随着集成技术工艺的发展而增加。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，因此MRAM的体积也越来越小，存储密度必随之增加。

低功耗

MRAM单元的功耗很低，存储单元的工作电压只有闪存EEPROM的十分之一左右，而且断电后保存数据不需耗电。

MRAM被认为是目前能同时满足计算机内存四项要求：‘非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低‘的最佳器件，因而受到业内人士的广泛关注，各大企业竞相开发，力争产品早日面世。

Everspin是设计制造和商业销售离散和MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心和云存储及能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，在包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。Everspin代理商英尚微电子可提供驱动、例程和必要的FAE支持。

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