三安集成携第三代HBT参加电子设计创新大会

10月14日，三安集成连续第四次参加电子设计创新大会（EDICON），与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会，三安集成携最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工艺，为客户呈现两场技术交流分享会。

三安集成在砷化镓射频芯片制造工艺领域持续投入，不断提高工艺水平，第三代HBT工艺可以应用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客户在高频段消费类通讯的应用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工艺均已实现量产，可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。在展会期间，砷化镓射频事业部的林义书处长就5G应用市场阐述三安集成的服务能力。 

为配合客户在射频前端模组的设计需求，三安集成也在积极建设滤波器产业链，于日本成立研发中心，汇集国际尖端科研智慧，及时响应市场动态，为客户提供最新的技术成果；三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的滤波器供应链，垂直整合了研发设计，衬底材料，芯片制造和封装测试等环节，确保稳定持续的产能供应，预计到2021年第二季度，产能可以达到120Mu/月。滤波器事业部的谢祥政经理也就表面声波（SAW）滤波器仿真的相关议题进行了分享。

Sanan IC Stand at EDI CON China 2020

三安以近20年的化合物半导体制造经验，专业的设计支持团队，以及丰沛的产能，为微波射频、功率电子以及光技术领域的客户提供标准化及客制化的生产服务。

原文标题：三安集成持续投入砷化镓射频芯片，积极建设滤波器产业链

文章出处：【微信公众号：MEMS】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

责任编辑：haq