L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

KANA 发表于 2020-10-29 13:06:57

数据： STMicroelectronics L6494高压高侧低侧2A栅极驱动器.pdf

STMicroelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧（浮动）截面设计承受高达500V的直流电压轨，具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL，低至3.3V，可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。

该器件是单输入栅极驱动器，具有可编程死区时间，并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流，位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或危险条件下操作电源开关。这些驱动器的集成式自举二极管和所有集成功能让应用PCB设计更简单、更紧凑，从而减少物料清单总体成本。

特性

瞬态耐压：600V
dV/dt抗扰度：± 50V/ns（在全温度范围内）
驱动器电流能力：-2A源（典型值，25°C时）- 2.5A灌（典型值，25°C时）
较短的传播延迟：85ns
在1nF负载下，开关的上升/下降时间：25ns
集成式自举二极管

单输入和关断引脚
可调节死区时间
3.3V、5V TTL/CMOS输入，带滞后
高侧和低侧欠压闭锁
紧凑、简化的布局
材料清单减少
灵活、简单、快速的设计

应用

电机驱动器，用于家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风机
HID镇流器
感应加热
焊接

工业逆变器
不间断电源
电源装置
直流-直流转换器

框图

技术文档

数据手册（1）

STMicroelectronics L6494高压高侧低侧2A栅极驱动器.pdf