如何不使用AMBA的构建典型的 SRAM 存储器系统

本应用笔记介绍了如何在不使用 AMBA 的情况下围绕 ARM7TDM 构建典型的 SRAM 存储器系统。有许多可能的方法来做到这一点。应该使用不同的方法，这取决于内存系统的大小（宽度）、要使用的内存类型以及是在片上还是片外。在决定要使用的内存系统时，必须平衡成本和系统性能。*简介*
本应用笔记描述了如何在不使用 AMBA 的情况下围绕 ARM7TDM 构建典型的 SRAM 存储器系统。

有许多可能的方法来做到这一点。应该使用不同的方法，这取决于内存系统的大小（宽度）、要使用的内存类型以及是片上还是片外。在决定要使用的内存系统时，必须平衡成本和系统性能。

本应用笔记分为两个主要部分。
* ARM7TDM 总线接口的描述。描述了总线接口的所有主要方面，从时钟策略、总线配置和时序到内存访问控制。
* 一个详细的例子，展示了如何设计一个典型的内存系统。该示例假设一个小端系统，仅使用 SRAM 和 ROM。

ARM 开发了一种称为 AMBA 的总线架构，使用该架构将提高可扩展性，极大地简化系统设计，并有助于测试——尤其是在需要多个总线主控的应用中。

ARM 建议使用 AMBA 来设计基于 ARM 的系统。然而，本应用笔记解释了如何在不使用 AMBA 方法的情况下将 ARM7TDM 连接到存储器系统。

*ARM7TDM 总线基础知识*

*_Bus Clocking_*

有两个相关信号，MCLK 和 nWAIT。MCLK 对正常操作模式下的所有处理器活动进行计时。ARM 的静态特性允许外部电路为慢速外设访问延长时钟的任一相位。一个典型的方案是使用一个带有 40 MHz 时钟的外部 PAL，该时钟生成一个 20 MHz 时钟，并根据需要进行扩展。这种技术在某些设计中可能难以使用。这种相位拉伸如图 1 所示。

在系统中使用高频时钟的一种更简单、更常见的替代方法是将 nWAIT 与 MCLK 结合使用。nWAIT 在内部与 MCLK 进行 AND 运算，因此为避免截断阶段 2（高）周期，nWAIT 只能在时钟低周期（阶段 1）期间安全更改。因此，nWAIT 技术只能用于延长时钟低电平周期。这种技术如图 2 所示。

编辑：hfy