PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

KANA 发表于 2020-11-09 12:07:04

数据： STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器.pdf

STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET，采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω，漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高，因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。

PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (V_CC)，在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能，以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。PWD5F60还嵌入了两个独立的比较器，用于防止过流和过热。

该器件采用紧凑型15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装。

特性

电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET
- R_DS(ON) = 1.38Ω
- BV_DSS =600伏
配置选项：
- 全桥
- 双独立半桥
低侧和高侧UVLO保护
3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能

内置自举二极管
独立比较器
可调节的死区时间
材料清单减少
紧凑、简化的布局
灵活的设计
工作温度范围：-40°C至125°C
15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装

应用

工业风扇和泵
烹饪护罩和气体加热器
鼓风机

工业驱动器
工厂自动化
电源装置

开发工具

STMicroelectronics EVALPWD5F60演示板

一款评估板，用于集成高压全桥的PWD5F60高密度功率驱动器。

框图

技术文档

数据手册（1）

STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器.pdf