存储技术
1.速度
内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标,时间越短,速度就越快。普通内存速度只能达到70ns~80ns,EDO内存速度可达到60ns,而SDRAM内存速度则已达到7ns。
注意:内存条的生产厂家非常多,目前还没有形成一个统一的标注规范,所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来,但可了解其速度如何,如-70或-60等数字,就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。
2.容量
内存条容量大小有多种规格,早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量,72线的EDO内存则多为4M、8M、16M,而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量,甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。
3.奇偶校验
为检验存取数据是否准确无误,内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位,并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过,而在实际使用中有无奇偶校验位,对系统性能并没有什么影响,所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。
注:计算机是以二进制进行计数的,表现为0和1,当机器向内存写入数据时,实际上就是存入代码01,奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计,并将统计的结果保存在奇偶校验位中,当计算机提取内存的数据时,奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致,从而确保了内存数据的正确性。
4.内存的电压
FPM内存和EDO内存均使用5V电压,而SDRAM则使用3.3V电压,在使用中注意主板上的跳线不能设错。
5.内存主频
内存主频代表着该内存所能达到的最高工作效率。内存主频是以MHz(兆赫兹)为单位来计量的。内存主频越高,在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。
6.存取时间TAC(AccessTimeCLK)
TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。存取时间用-6、-5标识(-6表示60ns,-5表示50ns)。
7.CL(CASLatency)
CL(CASLatency)为CAS(ColumnAddressStrobe,列地址控制器)的延迟时间。它是内存性能的一个重要指标,它是内存纵向地址脉冲的反应时间。
8.SPD芯片
SPD(SerialPresenceDetect,串行存在探测)是一个EEPROM芯片,里面保存了该内存条的相关资料,如容量、芯片的厂商、工作速度、是否具备ECC校验等参数。在开机时由主板BIOS程序从SPD芯片中的资料并以此设定内存的工作参数,使之以最佳状态工作,更好地确保系统稳定的工作。
责任编辑人:CC
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