半导体制造工艺中的应用特点

攀时拥有超过2000种适用于离子注入系统的部件产品，已成为全球最大的离子注入部件替代零件供应商。材料涉及钨、钼、石墨、陶瓷等，涵盖了从最小的备件到整套离子发射源。

攀时从原材料品质控制开始，服务半导体OEM设备原厂，以及终端客户，已经有超过三十年的合作经验，甚至在某些产品方面，我们可以高于OEM标准生产部件。

半导体制造工艺中的应用特点

部件工作温度高，伴有强腐蚀性气体和强磁场。这对产品材质提出了极高的要求，所以在应用中多集中使用钼、钨、石墨、陶瓷等高物理化学稳定性材料。这些材料将确保电子在高达1 400 ℃的温度条件下形成并准确沿着电子路径进行运动。

攀时在离子注入部件领域的优势

我们基于对原材料的理解，以OEM设备制造商的原始备件为起点，不停的对备件极限进行更深的探索，发现短板，提出新的设计，优化改进现有方案，找到更合理的升级方法，延长产品使用寿命，降低客户PM频率，延长设备开机时长，从而降低整体运营成本。

例如：在IIP工艺中，MRS叶片滤出电荷或质量不正确的离子。只有通过质量分辨槽的离子才能在通向晶片的路径上继续运动。MRS板因离子束碰撞而产生磨损，侧面角度可减小磨损。但是IIP工艺还涉及化学反应，而且磨损越大，相应表面上的角度越尖锐。作为折衷方案，在OEM标准零件中采用92 °的角度。

MRS板（OEM）                             攀时优化设计MRS板延长寿命

攀时在离子注入部件领域的努力

我们一直在追求更高的品质，不断研发并推出新的产品，为客户带来更有价值的服务，同时，我们致力于：

降低清洁成本

减少维护工作量

缩短停工时间

简化部件安装和拆卸

延长使用寿命

攀时在离子注入部件领域的产品

我们可以提供超过100种以上离子注入系统备件，清单如下：

AIBT	istar
Applied Materials	9000,9200,9200xR,9500,9500xR,Quantum,QuantumI,QuantumII,QuantumIII,QuantumX,QuantumX+,QuantumxR,xR,xR/Leap, xR120,xR200, xR80
Varian Semiconductor Equipment  (now Applied Materials)	VIISta Trident,PLAD,VIISta HCS, VIISta HCP+/I,VIISta80,E1000,VIISion200,VIISion200+,VIISion 80+, VIISta HC, 120-10, 120XP, 160XP,180XP,80XP, VIISta 3000, Genus,Kestrel,VIISta810 XE/XER, VIISta 900 XPT, VIISion, E220, E500, VIISta 810,VIISta 810 XE,VIISta 900,VIISta 900XP, 300D, 300XP, 350D
Axcelis	GSDHC(200/200E/200E2),HC3,ltra,Eterna,GSD 100,GSD 160A,GSD 200E,GSD 200E^2,GSD HC, GSD HC3,GSD III,GSDIII LE,GSD LED,NV GSD,NV 10-160, NV 10-180,NV 10-80, Optima HD,ULE, Ultra,GSD HE,GSD VHE,GSD HE, GSDHE3,GSDVHE,OptimaXE,Paradigm XE,NV 3206/3204, NV 6200,NV 8200,NV 8250,Optima MD
Nissin	NH80,PR80,Exceed3000,CLARIS,EXCEED2000A/2000AH,EXCEED2300AV,EXCEED3000AH,EXCEED9600A,NH20,NH45
SEN	NV-GSD-160A,NV-GSD-80A,NV-GSDIII,NV-GSDIII-180,SD, NV-GSDIII-90E,NV-GSDIII-LE,NV-GSDIII-LE,V-GSD-HC,LEX,LEX3,SHX,NV-GSD-HE,NV-GSD-HE3,MC3MC3-II,NV-MC3
Ulvac	IH-860,IDZ-7000,IDZ-8001,IDZ-9001,IM200,IW-630

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