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钜亨网援引韩媒报道称,为如期在2022 年量产 3 纳米芯片,三星将在美国德州奥斯汀的半导体子公司启动EUV专用系统 LSI 新厂投资计划。据悉,此项投资高达 100 亿美元,月产能约 7 万片。
韩媒infostockdaily报道,相关行业人士表示,三星在奥斯汀的新厂已确认将生产非内存半导体 (Non-memory Semiconductor) 和系统 LSI。
此前业界就已传出,三星电子正计划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯汀等地建立 EUV 生产体系,作为 7 纳米以下芯片的生产基地。
同时根据韩媒披露,三星副会长李在镕上个月亲访荷兰ASML总部,实地了解了EUV 设备生产情况,并希望提前交付预定的 EUV 生产设备。
不过韩媒在最新的报道中,并未提到三星目前美国工厂的进展,包括是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。
责任编辑:tzh
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