PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位

MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下来的十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（相变存储器和磁RAM）将在独立存储器中处于领先地位。

Mark Webb在最近的虚拟闪存峰会上做了一系列演讲。他得出的结论是，尽管目前正在开发中的新兴存储器技术种类繁多，但英特尔的相变存储器（称为3D XPoint存储器或Optane）将在2025年和2030年主导独立的新兴非易失性存储器市场，这是部分原因是英特尔亏本出售内存业务的原因。

 

Webb将新兴内存定义为PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在这些分析中，Webb并不讨论开始受到关注的嵌入式/ SoC新兴存储器MRAM。

韦伯认为，由英特尔提供的PCM将在2025年占据独立新兴存储器市场90％的份额，而MRAM仅次于第二，在2030年仍将如此。

韦伯表示，尽管英特尔亏本出售了相变内存。但韦伯在FMS演讲中说，3D Xpoint的营业利润率非常低，并估计出售Xpoint会使英特尔每季度损失3亿多美元。韦伯说，尽管随着内存生产规模的扩大，这种损失可能会减少，但这种损失将持续下去。

他补充说，没关系。永久内存非常适合数据中心，可以将英特尔架构与AMD和其他竞争对手区分开来。韦伯说，内存余量并不是英特尔的目标。

韦伯在一篇博客文章中说：“我们预测Optane的收入将大幅增长，这仅仅是因为英特尔正在向它投资数十亿美元，并正在为其发展新的总线连接。如果没有英特尔，则将数字除以5到10。”

尽管韦伯的分析对于诸如ReRAM和FeRAM之类的替代存储器的支持者似乎是黯淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特尔和美光共同推出PCM五年后，除对英特尔的销售外，美光的年销售额还不到1000万美元。韦伯表示，在同意一项技术可行之后，要想达到高产量，需要很长时间。

韦伯观察到：“如果ReRAM或FeRAM起飞，它将在四到五年内，并且不会取代其他市场。”
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