DRAM的发展史及结构解析

　　DRAM的发展史：

　　FPM/EDO：1996年以前应用为主，SOJ包装模式，运作频率和CPU的总线异步。

　　SDRAM：开始导入DRAM运作频率和CPU的总线频率同步。所以称为同步DRAM.同步控制的技术使得CPU和内存的Timingcycle同步，计算机的整体效率亦大幅提升，目前DRAM都是架构在SDR之上演进而成。

　　DDR（Doubledatarate）：同一频率送出2组数据（正/负），速度较SDR快一倍，引入DLL电路。内存速度400~500MHz。

　　DDR2：提高内存速度到800~1066MHz。因应速度提升引入提升讯号质量功能（ex：ODT/OCD.。）及commandbus新指令（PostedCAS&AdditiveLatency）。

　　DDR3：提高内存速度到1066~1866MHz。持续因应速度提升引入提升信号质量功能，DynamicODT，M.P.R/Writelevelmemorytraining功能。

　　DDR4：工作电压1.2V，工作频率有2133MHz、2400MHz、2666MHz、2800MHz、3000MHz和3200MHz等分类。

　　DDR5：工作电压1.1V，内存带宽是DDR4的两倍--3.2-6.4Gbps.频率达4800MHz~6400MHz。

　　DRAM的接口结构

　　

　　上图是一个半导体存储器的分类树形图。可见DRAM只是RAM中的一种，RAM一般用作缓冲，而ROM一般用作代码存储。缓冲越大，系统的性能将会越好，特别是对于大型操作系统，RAM的性能有时就代表了一个系统的性能。

　　DDR全称为DDRSDRAM（DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory）双倍速率同步动态随机存储器，DDRSDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了Intel和AMD等主要芯片组厂商的支持，当前已经从第一代DDRSDRAM发展到DDR4，即将发布DDR5.怎么样区分呢？

　　DDRSDRAM供电：2.5V

　　DDR2供电：1.8V

　　DDR3供电：1.5V

　　DDR4供电：1.2V

　　DDR5供电：1.1V

　　为降低功耗，又发展了LPDDR、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4及DDR3L，它们的供电分别为：

　　DDR3L供电：1.35V

　　DDR3U供电：1.25V

　　LPDDR2供电：1.5V

　　LPDDR3供电：1.2V

　　LPDDR4供电：1.1V（采用LVSTL--LowVoltageSwingTerminatedLogic）

　　电气接口：电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。DDRSDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位MB/s。所以DDRSDRAM中的DDR200其实与PC1600是相同的规格，数据传输量为1600MB/s（64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s），而DDR266与PC2100也是一样的情形64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s。

　　

　　GDDR（GraphicsDoubleDataRate）：是用于显示的RAM技术，其特点是高带宽、高延时。GDDR5技术实际来源于DDR3，只不过降低了电压，减少了位宽（但支持更多Channel），通过数据编码和读写线分开提高了数据速率（3G~6GT/s）。GDDR5已经使用了将近10年，目前最新的标准是GDDR6。
责任编辑人：CC