电子束曝光原理_电子束曝光结构

　　电子束曝光原理

　　电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。

　　光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光需要的时间长是它的一个主要缺点。为了解决这个问题，纳米压印术应运而生。

　　电子束曝光在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。

　　电子束曝光结构

　　电子束曝光的基本结构，从上往下依次为：电子枪、电子枪准直系统、电磁透镜、消像散器、偏转器、物镜、光阑（Aperture）、电子探测器、工作台（stage）以及真空泵（离子泵、分子泵、机械泵）。

　　电子枪：高分辨率的热场发射，配有高压，电子束的能量通常在10~100KeV。

　　电子枪准直系统：对电子枪发出的电子束进行较直。

　　电磁透镜：与光学透镜类似，聚焦电子束。

　　消像散器：调节聚焦像散，减少误差。

　　光阑：改变电子束流。

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