英诺赛科邹艳波：第三代半导体开创新赛道

随着5G、新能源和快充等应用的兴起，第三代半导体材料也开始崭露头角。
 
电子发烧友网《2021半导体产业展望》专题， 收到近50位国内外半导体创新领袖企业高管的前瞻观点。岁末之际，电子发烧友特别采访了英诺赛科产品应用经理邹艳波，他对2021年半导体市场提供了自己的前瞻观点和技术趋势分析。

 

第三代半导体崛起
 
功率半导体朝着第三代半导体发展，10KW的大功率市场会逐步被SIC替代，10KW的中小功率市场会逐步被GaN取代。英诺赛科的氮化镓功率器件，随着制程工艺的不断优化，氮化镓功率器件的性能和成本优势将更加明显。
 
氮化镓带来快充变革
 
今年一个比较大的亮点就是小米发布了氮化镓快充，雷军为氮化镓快充代言，这个事件标志着第三代半导体氮化镓开始在快充领域的大规模应用。氮化镓作为第三代半导体材料，具备高频高效的特性，其大规模的应用将推动整个功率半导体市场带来变革。
 
半导体新赛道
 
明年半导体行业会进一步国产转移，国产半导体行业会进一步发展，第三代半导体氮化镓为国产半导体发展提供了绝好的契机，提供了半导体的新赛道，中国半导体有望在这个新的赛道实现国际领先。第三代半导体氮化镓功率器件在明年的市场应用也将迎来高速发展，在手机，数据中心，5G基站，自动驾驶的应用将实现突破。