EEPROM和FLASH在大多数应用场合中均无法替代SRAM

随着半导体技术的飞速发展，各种存储器相继推出，性能不断提高。

众所周知，普通SRAM在电源掉电后，其中的数据随即消失，再次加电后，存储器中的数据为随机数。这对于需要保存大量现场数据及各种系统参数的应用系统来说无疑是不允许的。虽然EPROM的数据不会因掉电而丢失，但EPROM只能用专用的写入器写入数据，无法替代相应的SRAM。

SRAM不存在刷新的问题。一个SRAM基本存储单元融个晶体管和两个电阻器构成，它并不利用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的，如同CPU中的晶体管通过切换不同的状态也能够分别代表0和这两个状态正是因为这种结构，所以SRAM的读取过程并不会造成SRAM内存储的的信息的丢失，当然也就不存在什么刷新的问题了。

EEPROM和FLASH是电可擦除的，可以部分替代相应的SRAM，但EEPROM和FLASH写入速度（ms级）相对于SRAM（ns级）太慢，无法存放计算产生的中间结果，无法高速随机地写入大量数据，EEPROM和FLASH写入次数有限（十万次左右），而SRAM可以无限次写入，更关键的是：除非对EEPROM和内存Flash的片选信号用专门的电路加以控制，上、掉电期间会产生误写。

尽管FLASH有硬、软件写保护，但其保护算法使用起来很不方便，效果也不理想，在大多数应用场合中无法替代SRAM。

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