氮矽科技预计年底推出首款分离式高速氮化镓栅极驱动芯片的快充产品

快充是当前最大市场，分离式的技术路线便于应用扩展，未来将进入更多工业级场景。

36氪获悉，分离式氮化镓栅极驱动芯片及增强型氮化镓晶体管研发公司成都氮矽科技有限公司（以下简称“氮矽科技”）宣布获得千万级天使轮融资，由率然投资领投，鼎青投资跟投。创始人罗鹏表示，公司驱动及晶体管产品已完成流片、封装及应用搭建，正在进行客户导入，预计在年底前推出搭载其首款分离式高速氮化镓栅极驱动芯片以及氮化镓晶体管的快充产品，此次融资除了用于研发外，还将支持市场导入及销售。

氮化镓作为替代硅用于芯片制造的新兴材料，目前已经在快充市场呈现规模化应用。

与传统硅材料相比，氮化镓芯片尺寸更小、能够承受的开关频率更高、功率密度大大增加。在CES 2019上，Aukey、MuOne、RavPower等厂商就已发布了多款GaN快充头，其中的芯片均采用了Navitas研发的氮化镓芯片 NV6115。随后，小米、OPPO也陆续发布了采用氮化镓的快充产品，在此之后，国内需求将快速增长，目前市场上有超过150款氮化镓PD快充上市，市场规模已经达到约10亿元人民币的体量。

在氮化镓芯片的设计、研发环节，国外厂商长期处于较领先地位。当前行业龙头是2014年在美国成立的Navitas，其单片集成式的氮化镓芯片是全球首款成功导入市场的产品，在业内处于绝对优势。

但从技术路线上看，Navitas所代表的单片集成式氮化镓芯片只是其中一种，还有以TI为代表的系统集成式芯片，以及分离式芯片。不同技术路线下芯片的性能及对应的应用场景都有所不同，因此，氮化镓芯片市场依旧存在很多空白领域，这吸引了很多技术实力较强的创业公司入局。

国内目前在氮化镓领域拥有独立设计能力的fabless公司数量依然稀少，人才及产业链尚不完备。氮矽科技是由一批此前在海外从事相关研发的专家、高管归国组建。公司于2019年4月成立，团队采用分离式的技术路线开发国内首款高速氮化镓栅极驱动芯片及氮化镓晶体管，计划年底从快充市场切入后，逐渐扩展到其他应用场景。

氮矽科技签约现场图 △

关于为什么采取分离式技术路线，创始人罗鹏表示：尽管当前消费电子类芯片正逐渐走向集成化，并且以Navitas、PI等巨头所代表的集成式芯片已出现规模化落地，但这并不代表集成式是最优解。其中一个明显弊端就是——集成式芯片限制了应用扩展的能力，首先是芯片的开关频率只适合消费电子类产品；其次，由于氮化镓升温较快，因此系统级集成需要给驱动附加多种保护措施，这又进一步限制了应用扩展性。相比之下，分离式是传统的基于硅的芯片的常见制式，其发展时间最久，替换成氮化镓之后，分离式的芯片开关可调可控，灵活度更高，便于在应用端做改进。此外，当功率升高时，分离式的芯片的稳定性、安全性也会更高。

从商业化的角度上看，当前以Navitas为代表的集成式氮化镓芯片主要应用在快充市场，但其市场规模依旧有限，而分离式氮化镓芯片由于可操作性更强，更便于在其他应用场景落地，从而实现大规模量产。

目前，氮矽科技已研发出三款产品：分离式高速氮化镓栅极驱动芯片（DX1SE-A）、650V增强型氮化镓MOSFET、氮化镓功率IC （DX2SE65A150）。产品将首先落地在快充市场，公司计划前期通过已有应用方案直接对目标客户完成销售。

关于其他应用场景，创始人罗鹏表示，氮化镓芯片在工业级市场还是一片蓝海，照明电源、LED驱动、通信电源、基站电源、充电桩、数据中心等都存在需求，不过工业级产品相对消费级的安全性、可靠性要求更高，这也是目前业内公司都在努力研发的领域，挑战难度也很高。

创始人及董事会简介

氮矽创始人罗鹏博士

氮矽科技创始人罗鹏为德国勃兰登堡州科技大学硕士，博士与博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所，精通氮化镓器件物理特性，有超过5年第三代半导体氮化镓IC的研发工作经验。

公司董事长David French

公司董事长David French 从事半导体行业超过40年，2001年起积极投身中国半导体行业，就职于行业中多家公司董事会。

总经理Jesse Parker（白杰先）

总经理Jesse Parker（白杰先）曾任软银国际基金执行副总裁、IBM微电子部门执行副总裁 、先进半导体制造有限公司独立董事、 DEC 个人电脑部门副总裁，现任高瞻股权投资（广东）有限公司董事长、矽能科技总经理，办过乾龙创业投资基金、长沙咨询有限公司等。