512Kx16低压超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS1为高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或CS1为低电平时，CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件将进入待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入降低功耗水平。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。IS62WV51216EBLL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm），44引脚TSOP（II型）和48引脚TSOP（I型）中。

512Kx16低压超低功耗sram主要特征

•高速访问时间：45ns，55ns

–36mW（典型值）运行

–1.65V–2.2VVDD（62/65WV51216EALL）

–2.2V--3.6VVDD（62/65WV51216EBLL）

•汽车温度（-40oC至+125oC）

异步SRAM广泛的解决方案

-提供x8，x16和x32配置

-5V/3.3V/1.8VVDD电源

-商业，工业和汽车温度（-40°C至125°C）支持

-BGA，SOJ，SOP，sTSOP，提供TSOP软件包

•ECC功能可用于高速异步SRAM

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