湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房顺利完成封顶

　　据长沙晚报报道，2021年1月19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房顺利完成封顶，此次封顶标志着这座湖南省境内的首个第三代半导体产业园项目（一期）Ⅰ标段完成全面封顶，预计该项目在2021年中有望实现全面投产。

　　据了解，该项目分两期建设，当前项目一期主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线，产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5G）通讯等。

　　据集微网此前消息显示，2020年12月，湖南三安半导体项目（一期）Ⅰ标段溅度厂房实现主体结构封顶。

　　据悉，长沙三安第三代半导体项目，总占地面积1000亩、投资160亿元，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

　　2020年7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。

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