一周芯闻：硅片国产替代正当时，但规划产能或过高过热

1. 硅片国产替代正当时，但规划产能或过高过热

半导体用硅片产品包括硅抛光片、SOI硅片、外延片、退火片、返抛片、研磨片、NTD硅等。目前主流为12英寸（占比65%）、8英寸（占比28%）。2016-2020年增长率在20%~30%。全球前五大厂商垄断了92%的市场份额，寡头垄断的形成是不断积累、不断兼并的结果。据报道，环球晶已同意以37.5亿欧元（45.3亿美元）收购德国同业世创（Siltronic），合并后的企业将成为全球12英寸硅晶圆市场中第二大生产业者，而若以营收计，将成为全球最大硅晶圆业者。

半导体晶圆制造材料的产业态势，供应高度垄断，供方商高度集中，单一半导体材料只有少数几家可以提供。同时，先进制程的晶圆公司越来越少，对新供应商而言，试线机会少。因为晶圆大厂对供应商的选择慎之又慎，上线的机会少之又少。国际供应商的态度和服务不尽如人意，国内晶圆线有很强的国产替代需求。而目前国内供应商必须要解决的关键问题是产品质量的稳定性。

国内市场上8-12英寸硅片有效供给较少，于是大硅片项目遍地开花。近几年国内硅片项目总投资1580亿，国内12英寸大硅片生产线项目（含拟在建）达到561万片/月，产能规划4倍于国内晶圆线，规划产能或可满足全球供给。

2. 士兰微12英寸产线正式投产

12月21日，士兰微官微发布消息称，其公司位于厦门的12英寸芯片生产线正式投产。

士兰微电子12英寸芯片生产线项目总投资170亿元，由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营。项目规划建设两条以功率半导体芯片、MEMS传感器芯片为主要产品的12英寸特色工艺功率半导体芯片生产线。

士兰微电子第一条12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线项目总建筑面积约25万平方米，总投资70亿元，分二期。

第一条12英寸产线，总投资70亿元，工艺线宽90纳米，计划月产8万片。本次投产的产线就是其中的一期项目，总投资50亿元，规划月产能4万片；项目二期将继续投资20亿元，规划新增月产能4万片。

第二条12英寸生产线预计总投资100亿元，将建设工艺线宽65纳米至90纳米的12英寸特色工艺芯片生产线。

此前预计项目一期投产后，年销售额将超过10亿元。二期项目建成后，年生产总值可达40—50亿元。

士兰微表示，厦门12英寸芯片生产线的投产，进一步夯实了士兰微电子IDM策略，进一步提升了企业的整体竞争力，有利于更好地通过芯片设计研发与工艺技术平台研发，不断丰富产品群，进一步推动企业迈上新的台阶。

3. 青岛半导体高端封测项目主厂房顺利封顶

12月22日，位于中日（青岛）地方发展合作示范区的青岛半导体高端封测项目主厂房顺利封顶。

青岛西海岸新区国际招商消息显示，青岛半导体高端封测项目总投资10亿元，是2020年青岛市、区两级重点项目。

4月15日，通过网上“云签约”，项目落地中日（青岛）地方发展合作示范区，主要运用世界领先的高端封装技术，封装目前需求量快速增长的5G、人工智能等应用芯片。

据介绍，该项目从开工到主厂房封顶用时176天，为2021年生产设备安装和投产打下良好基础，实现了当年签约、当年落地、当年开工、当年封顶。

4. 国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备成功试产

12月23日，由西安理工大学和西安奕斯伟设备技术有限公司共同研制的国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备在西安实现一次试产成功。

据科技日报指出，2018年起，西安理工大学刘丁教授团队与西安奕斯伟建立了促进成果转化、支撑产业发展的紧密协作关系。双方发挥各自的技术创新和市场优势，以开发新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备及核心工艺为目标，针对7-20nm集成电路芯片要求，开展技术攻关。

双方共同研制的面向产业化应用的硅单晶生长成套设备按照集成电路硅单晶材料的要求，成功生长出直径300mm，长度2100mm的高品质硅单晶材料。实现了采用自主研发的国产技术装备，拉制成功大尺寸、高品质集成电路级硅单晶材料的重大突破并实现产业化。

这一成果的取得，达到了基础研究、应用研究相互支撑，产学研协同合作、解决国家重大需求的明确目标，充分体现重大科技成果转化应用，为加快解决我国产业发展中的“卡脖子”问题提供有力支撑的突出作用。

5. 华芯投资换帅，孙晓东任总裁

据财新网报道，12月23日，华芯投资管理有限责任公司（下称华芯投资）总裁路军已于近期调回国家开发银行总行，其职位将由孙晓东接任。这是华芯投资2014年成立以来的首次换帅。

天眼查信息显示，华芯投资成立于2014年8月27日，法定代表人樊海斌。国家开发银行全资子公司国开金融有限责任公司出资45%，是国家集成电路产业投资基金的唯一管理人，负责基金的投资运作。

路军现任国开新能源创始人、法人代表，国开金融有限责任公司副总裁，曾任国家开发银行上海市分行副行长、投资业务局产业整合创新处处长、江苏省分行客户处处长等职。

国家集成电路产业投资基金一期成立于2014年9月，规模超过人民币1300亿元，投资期为5年，回收期亦为5年。二期成立于2019年10月，规模超过2000亿元，是支持国内集成电路产业发展的重要力量。

6. 证监会同意银河微电科创板IPO注册

12月23日，据证监会同意银河微电的科创板首次公开发行股票注册，银河微电及其承销商将分别与上海证券交易所协商确定发行日程，并陆续刊登招股文件。

2017年度、2018年度、2019年度，银河微电实现营业收入分别为61,170.46万元、58,538.27万元、52,789.38万元，归属于母公司股东的净利润（扣非后）分别为5,284.49万元、5,315.85万元、4,961.14万元。

银河微电2019年技术人员共202人，占公司总员工比18.69%，2019年研发费用为3,221.85万元，占营收比为6.10%。

银河微电表示，本次募集资金投向半导体分立器件产业提升项目及研发中心提升项目，依托公司现有的技术积累和生产能力，重点进行超薄型光电耦合器、隔离驱动光电耦合器、高密度封装小信号器件、功率MOS器件、快恢复二极管芯片、ESD保护用TVS二极管芯片等新型分立器件产品及芯片的研发、生产。

关于未来的发展目标，银河微电表示，公司将继续实施技术创新，专注于半导体分立器件行业做精做强，进一步拓宽产品种类，提升产品性能，提高产品档次；公司将继续推进结构调整，坚持纵向一体化发展战略，全面优化芯片和封测技术，增强生产柔性和效率，扩大经营规模；公司将继续坚持市场导向，提升市场营销能力，强化技术服务支撑，拓展国内外中高端市场领域，全面提升公司的盈利能力。

7. 中芯国际回应被列入“实体清单”

美国商务部网站当地时间12月18日发布消息宣称，美国商务部工业与安全局（BIS）将中国芯片制造商中芯国际（SMIC）列入“实体清单”。

美国商务部称，中芯国际被列入实体名单后，美国出口商必须申请许可证才能向该公司销售产品。公告中还指出，生产10纳米工艺制程或以下半导体所需独特物品的出口申请。

12月20日，中芯国际公告，关注到美国商务部以保护美国国家安全和外交利益为由，将公司及其部分子公司及参股公司列入“实体清单”；对用于10nm及以下技术节点（包括极紫外光技术）的产品或技术，美国商务部会采取“推定拒绝”的审批政策进行审核。

公告如下：

2020年12月18日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”或“公司”）关注到美国商务部以保护美国国家安全和外交利益为由，将中芯国际及其部分子公司及参股公司列入“实体清单”。

公司被列入“实体清单”后，根据美国相关法律法规的规定，针对适用于美国《出口管制条例》的产品或技术，供应商须获得美国商务部的出口许可才能向公司供应；对用于10nm及以下技术节点（包括极紫外光技术）的产品或技术，美国商务部会采取“推定拒绝”（Presumption of Denial）的审批政策进行审核；同时公司为部分特殊客户提供代工服务也可能受到一定限制。

自2020年9月5日公司从媒体获悉可能被美国商务部列入贸易黑名单以来，一直努力与美国政府相关部门沟通，以期得到公平、公正的对待。但遗憾的是，公司仍然被列入了“实体清单”。对此，中芯国际表示坚决反对，并再次重申，公司自成立以来一贯恪守合规运营的原则，严格遵守生产经营活动所涉及相关国家和地区的法律法规，从未有任何涉及军事应用的经营行为。

经公司初步评估，该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响，对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响，公司将持续与美国政府相关部门进行沟通，并视情况采取一切可行措施，积极寻求解决方案，力争将不利影响降到最低。

中芯国际将根据后续事件的发展情况，严格遵守相关规则，及时履行信息披露义务，敬请广大投资者及时关注公司公告，注意投资风险。

8. 台积电230亿元美国建厂计划获批

据媒体报道，台积电投资35亿美元(约合人民币230亿元)赴美建厂的计划得到了有关部门的正式批准。

此前在12月11日，台积电董事会内部通过了这一项目。

台积电计划在美国亚利桑那州凤凰城建设一座300mm晶圆厂，2021年动工，2023年装机试产，2024年上半年规模投产，直接部署目前最新的5nm工艺，规划月产能2万片晶圆。

当然到那个时候，5nm就不是最先进的了，台积电计划2022年量产下一代3nm，2023年量产增强版的3nm Plus，2024年则有望量产2nm。

2020年5月，台积电宣布，在美国联邦政府、亚利桑那州政府的共同理解、承诺支持之下，有意于美国建设并运营一座先进晶圆厂，将直接创造1600个高科技就业岗位。

2021-2029年期间，台积电将为此工厂支出约120亿美元。

9. 英特尔三家晶圆厂聚焦10纳米制程

先前因为技术瓶颈，延后多年才推出10纳米制程的处理器龙头英特尔，目前为了市场需求，旗下3座晶圆厂正在扩大生产10纳米制程芯片，以满足需求。

据外媒《TechPowerUp》报导，为了应付庞大的客户需求，英特尔过去几年将14纳米和10纳米等制程的产能增加一倍。不过，目前英特尔现在正将重点放在10纳米制程产能扩大。

现阶段，英特尔旗下包括美国俄勒冈州、亚利桑那州，以及以色列等地的3座晶圆厂都在加速生产10纳米制程的芯片。

英特尔高级副总裁兼制造与运营总经理KeyvanEsfarjani表示，过去3年英特尔的晶圆产能翻了一倍，这是一项重大投资。

接下来，英特尔将继续投资晶圆厂的产能，以确保能跟上客户日益成长的需求。10纳米制程的进展也非常顺利，目前全球3座晶圆厂正在加速生产10纳米制程芯片。

报导指出，2020年期间，英特尔终于推出延宕已久的10纳米制程，生产包括第11代英特尔Core-i处理器，以及无线基地台的Atom P5900芯片。

此外，英特尔还在10纳米制程发展出SuperFin技术，英特尔直指可达成英特尔史上最大单节点内芯片性能的增强功能，并提供与全节点提升相当的性能提升。

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