韩国2021年度下一代智能半导体研发计划发布

2020年12月29日，韩国科学和信息通信技术部（MSIT）发布下一代智能半导体（器件）研发计划2021年项目实施计划。该研发计划旨在克服现有半导体技术局限，致力于下一代超低功耗、高性能半导体器件核心技术的创新开发，为期10年（2020-2029年），金额达2405亿韩元。

一、实施策略及内容

避免论文式研究，促进早期成果商业化和IP核应用，具体包括：（1）引入竞争性研发模式，评估每个步骤，并确定持续支持的项目；（2）支持晶圆级集成和验证（与下述研发协同进行）。

三类研发包括：（1）新概念型基础技术（自由竞争模式）：该类研发旨在颠覆性创新，促进半导体范式改变。该类项目每年资助金额不超过2亿韩元，3年后进行评估以确定后续支持。（2）新器件技术（目标型竞争模式）：该类研发旨在开发CMOS工艺兼容的各种新器件技术（如超低压、3D集成、内存计算、器件系统架构、布线融合、大脑模拟等），以实现超低功耗、高性能的目标。该类项目每年资助金额约10亿韩元。（3）新器件集成和验证技术（内容明确型竞争模式）：该类研发旨在支持晶圆级集成和验证（集成工艺和基于设计的技术开发等），以促进实验室开发的元器件商业化。该类项目每年资助金额约30亿韩元。

 

二、2020年资助情况

2020年，下一代智能半导体（器件）研发计划选择并支持了24个新项目，总金额达120亿韩元。

其中新概念型基础技术类项目7个，总金额为7亿韩元；新器件技术类项目15个，总金额为77.5亿韩元；新器件集成和验证技术类项目2个，总金额为30亿韩元。

三、2021年资助计划

2021年，韩国将加大对下一代智能半导体器件研发计划的投资力度，加强项目团队及机构间的协作，加快创新步伐。

2021年的总预算为339.77亿韩元，其中229亿韩元用于继续支持2020年选择的项目，103.18亿韩元用于支持19个新项目，7.59亿亿韩元用于项目运营管理。

2021年的19个新项目中，其中新概念型基础技术类项目10个，总金额为20亿韩元；新器件技术类项目8个，总金额为60.68亿韩元；新器件集成和验证技术类项目1个，总金额为22.5亿韩元。2021韩国加大新器件技术的投资力度以尽早确保其在人工智能半导体器件的核心技术优势（例如，人脑模拟器件研究）。2021年新项目将于本年度4月开始执行，目前尚未公布。

表1 2021年持续支持2020年选择的项目（24）

序号	分类	名称	资助金额 (百万韩元)
2020	2021
1	新器件技术类项目15个	利用高k绝缘隧道势垒的超低功耗2D-3D过渡金属二硫化物TFET及逻辑电路的研制	557	1114
2	基于阈值开关的快速传输低功耗逻辑器件和电路系统的开发	447	894
3	基于低温外延和再结晶工艺的Si/SiGe沟道M3D集成器件和架构开发	557	1114
4	基于低温工艺氧化物半导体的超低功耗M3D集成逻辑器件和架构的开发	557	1114
5	集成2D金属硫化物和Ge/Si BEOL的高性能器件和M3D集成技术开发	557	1114
6	基于ReRAM的近内存位向量运算开发	447	894
7	用于加速深度神经网络的三端内存计算器件和架构的开发	447	894
8	低功耗、高可靠性、与CMOS工艺兼容的（半）铁电内存计算器件及结构的研制	447	894
9	CMOS工艺兼容的基于离子基三端突触器件和晶圆级阵列的神经形态结构开发和模式识别演示	447	894
10	具有片上训练功能的电荷存储突触器件/阵列和架构开发	667.5	1335
11	利用负电容场效应晶体管和隧道场效应晶体管开发超低功耗10x10 SRAM神经网络阵列技术	557	1114
12	下一代智能半导体的CPI设计和布线技术研究	557	1114
13	基于超低功耗纳米热驱动的下一代接线设备及其3D半导体系统架构的开发	281	562
14	基于随机纳米磁体的概率计算与逆运算逻辑电路	557	1114
15	基于低功耗新器件的安全芯片开发	667.5	1335
16	新器件集成和验证技术类项目2个	开发用于超低压新器件的FEOL集成平台	2000	4000
17	M3D器件集成平台开发和系统架构研究	1000	2000
18	新概念型基础技术类项目7个	超梯度开关脉冲电离晶体管	100	200
19	基于拓扑量子物理学的超灵敏太赫兹非线性整流器	100	200
20	打印光接收单元-信号处理单元的集成图像传感器实现*	100	200
21	超低功耗单片高散热纳米光半导体器件的开发	100	200
22	基于的单分子尺度分子2D异质结的超低功耗高效学习人工突触装置的开发	100	200
23	自旋电荷转换的非易失性控制及自旋逻辑器件的开发	100	200
24	基于自旋结构动力学的超低功耗集成电路器件技术开发	100	200

 

原文标题：【政策规划•微】韩国发布2021年度下一代智能半导体(器件)研发计划

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责任编辑：haq