HG5511D参数特性 60V低压MOS 40A结电容低 手机快充专用MOS管

描述

MOS管型号:HG5511D

参数:60V 40A 

封装:DFN3333

内阻:11mR(Vgs=10V)

          14mR(Vgs=4.5V)

结电容:550pF

开启电压:1.8V

应用领域:车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源、舞台灯照明、加湿器、美容仪等电压开关应用。

【高频率 大电流 SGT工艺 开关损耗小】

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