CdSe/ZnS量子点垂直腔半导体激光器光泵浦计算模型

CdSe/ZnS量子点垂直腔半导体激光器（QD VCSEL)凭借高增益、低阈值电流、片上集成度高、光谱单色性好等优点在诸多领域极具应用前景。由于QD VCSEL在工作过程中会产生大量的焦耳热，并且需要高效的载流子注入能力，因此在电泵浦状态下实现QD VCSEL的难度系数较大；此外，微腔激光器的光学腔设计直接影响驻波的空间分布，影响模式增益、阈值电流及激光功率。为了制备可以在电泵浦状态下实现激射的CdSe/ZnS QD VCSEL，首先要保证其光学腔设计的合理性，因此有必要研究光泵浦条件下QD VCSEL的载流子复合动力学及光子输运。

基于Crosslight公司先进的半导体仿真设计平台，我司技术团队开发出了CdSe/ZnS QD VCSEL计算模型，实现了光泵浦条件下的CdSe/ZnS QD VCSEL(如下图所示)。此模型能够帮助研究人员快速理清影响QD VCSEL激射过程的诸多因素，为分析器件物理提供了重要的参考价值，对于制备高效的QD VCSEL有着重要的指导意义。

图：在波长500 nm激励源下，CdSe/ZnS QD VCSEL的光输出功率图。

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