新突破！美光宣布批量出货1α工艺节点DRAM

美光宣布使用新型1α制造工艺生产的DRAM开始批量出货，这是目前世界上最先进的DRAM制造技术。1α制造工艺最初会用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上，随着时间的推移，未来将用于所有类型的DRAM，有望显着降低DRAM成本。

到目前为止，美光已将其DRAM生产的很大一部分转移到了1Znm节点，该节点既提供高位密度（较低的单位成本）又提供高性能。美光表示，从利润率和产品组合角度来说，现在的感觉相当好。美光的1α制造工艺预计将比1Z（成熟的成品率）将内存密度提高40％，这将相应降低生产者的单位成本。

此外，该技术的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α制造工艺其中很重要的一点是，印证了仅靠光刻技术的改进，不足以使DRAM制造成本降低。像上一代产品一样，美光的1α节点继续使用6F2位线设计。

1αnm是第四代10nm级DRAM技术，是三星、SK海力士、美光2021年角逐的新一代DRAM技术，随着美光宣布量产1αnm（1-alpha）DRAM产品，预计三星、SK海力士1αnm也将会在不久到来。

据悉，三星已在2020年基于1Znm制程技术量产16GbLPDDR5，并率先导入EUV工艺，三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16GbDDR5/LPDDR5。

SK海力士新建的M16工厂也已完成EUV洁净室的建设，待设备安装和调试过后，预计将在2021下半年开始量产第四代1αnm制程DRAM。

无论是3DNAND还是DRAM技术，美光的技术进展都非常的迅速，尤其是推出176层3DNAND之后将在2021年首季末规模化生产，领先业界。美光量产1αnm技术DRAM不仅仅是为了应对市场激烈的竞争，也是为了迎接DRAM市场需求的成长。

美光技术与产品执行副总裁斯科特·德伯尔（ScottDeBoer）表示：1αnm工艺节点体现了美光在DRAM方面的优越表现，计划将在2021年集中提高1αnm节点的DRAM组合产品，以满足当今DRAM市场需求，以及增强应用范围和影响力，从移动市场向汽车行业扩展。

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