这里将建成国际前三的氮化镓单晶衬底研发基地与高端产品生产基地

1月24日，苏州纳维科技有限公司（以下简称“纳维科技”）总部大楼奠基仪式在苏州纳米城举行。

项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

据苏州纳米城消息，该公司实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术，成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业，产品性能国际领先，并先后获得苏州市首届姑苏双创人才、园区首批科技领军人才企业等荣誉。

纳维科技董事长徐科表示，“我们将一如既往、继续深耕细作，努力实践每亩200万元税收的先行先试，打造出国际前三的GaN单晶衬底的研发基地与高端产品生产基地！”

目前，苏州工业园区已培育了纳维科技等一批创新势头强劲的企业，第三代半导体上、中、下游产业链规模初显；集聚了全国80%的氮化镓领域“国家级重点人才”，掌握了一批核心自主知识产权，已成为国内最具影响力的人才和技术高地。

责任编辑：xj