反激DCM模式RCD参数计算

反激DCM模式RCD参数计算

这里首先提供几篇应用手记上的计算方法，然后对其进行改进对比，然后在仿真中对比实际结果。

首先我们将关心的因素缩小，把主要考虑的元素分为Mos管的等效输出电容Coss，变压器励磁电感Lm，变压器的初级漏感Lkp作为考虑对象。

如图所示，如果不加RCD钳位，电路在DCM模式下，电路可能发生两次振荡，第一次主要是初级漏感Lkp和Coss的电容引起的，第二次主要是在电路能量耗尽后，励磁电感和Coss电容振荡引起的这里需要补充一下，在仿真的时候，已经观察到了这个明显的现象了。
下面开始我们的计算：

计算过程，把Flyback的计算过程带入其中：

找了好些文档都是这么计算的，不过我发现几个问题
1.消耗的能量不仅仅是漏感的，也包括励磁电感的能量
2.在钳位过程中，电压是变化的，并不存在彻底钳位在V.c_mx的情况发生
因此我们需要修改模型