NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流?

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它会清除任何真正不善于处理模拟电路分析的人。  

我看到这个电路时拿笔计算,好吧,我算错了。。。

电路图:有两个晶体管(transistor),一个NPN和一个PNP,连接方式如图1所示。

发射器

图1 “除草机”电路图

如果此晶体管是硅(Si),并显示0.6V,基极至发射极电压,且两个晶体管的ß值非常高,使得Ib几乎为零。

发射器

图2 分析的第一步

对于NPN基本上为零的Ib,R1和R2的电压在NPN的基础上将+12V导通电压分压为+4V。这个地方很好理解;当Vbe为0.6V时,NPN发射极为+3.4V,在R3中流过的电流为3.4mA。  分析的难点是NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流?

发射器

图3 分析的第二步

PNP的Vbe=0.6V,如此使得R4中的电流为0.06mA。在PNP基极电流几乎为零的情况下,由于NPN的ß值非常高,0.06mA成为NPN的集电极(collector)电流,也变成NPN的发射极电流。   流过R5的电流必须是R3的3.4mA电流和NPN发射极的0.06 mA电流之间的差值。该值为3.4-0.06=3.34mA。

发射器

图4 分析的第三步

R5上的电压降为3.34V,当加到R3顶端的3.4V时,将R5和PNP集电极的顶端放在+ 6.74V。   为了证明分析的结果,也为了有更加透彻的理解,我们用multisum仿真看一下,我分别在关键处并联了电压表和串联了电流表,但是实际看到是和上面的理论分析有差别的,这其实是万用表设置了内阻;   NPN三极管用的是PN2222,PNP用的是2N2904;

发射器

图5 仿真图

发射器

图6 仿真结果

(仿真元器件把万用表的内阻考虑进去了)

责任编辑:lq 

 

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