Cree正式完成LED产品业务部门出售事项

Cree（科锐）3月1日宣布已完成将其LED产品业务部门（“Cree LED”）向SMART Global Holdings，Inc.的出售事项。SMART许可将Cree LED品牌名称并入SMART业务组合中。

根据交易条款，Cree将获得3亿美元，其中包括5，000万美元的现金收购价，以及将在2023年到期时支付的1.25亿美元卖方票据。根据Cree LED交易后前四个完整季度的收入和毛利表现，Cree还有可能收到高达1.25亿美元的盈利支付，也可以三年期卖方票据的形式支付。

Cree将在今年晚些时候将公司名称更改为Wolfspeed。

Cree首席执行官Gregg Lowe表示：“Cree LED的出售完成代表了我们转型过程中的一个重要里程碑，使公司成为一家纯粹的全球半导体巨头，并处于领先地位，引领行业从硅（Si）到碳化硅（SiC）的转型。”“全球各行业希望通过尺寸更小、更具可扩展性的电源系统提高效率和性能，这一发展趋势使我们更加聚焦重点，并加强了持续投资，以利用Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）解决方案在电动汽车（EV）、5G和工业应用领域的数十年增长机会。”

Cree通过持续的产能扩张计划和技术领先地位，推动行业从硅到碳化硅的发展，包括其位于北卡罗莱纳州总部的超级材料工厂和位于纽约州Marcy的碳化硅制造工厂，后者建成后将成为全球最大的碳化硅制造工厂，也是世界上第一个200mm的碳化硅制造工厂，预计将于2022年投产。

众所周知，Cree是SiC/GaN材料及相关产品的供应商。SiC和GaN是两种具有更好的导热性、更高开关频率和更高温度的宽带隙半导体，可以耐受更高电压，因此在做器件的时候使用SiC和GaN，可使芯片更小、更轻、更快、更高效和更可靠，损耗更小。这些属性使其在许多应用中获得关注，在电源应用中尤为理想。因此，SiC和GaN广泛用于5G基站，尤其是功率放大器和RF芯片，以及在电力汽车等领域有广阔的应用前景。

将来对SiC和GaN的需求很有可能会增加。根据IHS Markit数据，2018年SiC功率器件市场规模约3.9亿美元，受电力汽车庞大需求的驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，18-27年9年的复合增速接近40%。另根据分析机构Yole的数据显示，全球GaN器件市场规模2017年至2023年期间的复合年增长率为4.6%。这对包括Cree在内的供应商来说是个好兆头。

经过多年的发展，现在的Cree具备了SiC功率器件及GaN RF射频器件生产能力，其中SiC功率器件市场，Wolfspeed拥有全球最大的份额，公司在碳化硅（SiC）制造和研发方面不断加大投入，可以支持全球范围内对于这些技术不断增长的需求。考虑到该公司未来在这一快速增长的市场的巨大机会，很多投资者和行业人士看好Cree。
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