Cree正式完成LED产品业务部门出售事项

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Cree(科锐)3月1日宣布已完成将其LED产品业务部门(“Cree LED”)向SMART Global Holdings,Inc.的出售事项。SMART许可将Cree LED品牌名称并入SMART业务组合中。

根据交易条款,Cree将获得3亿美元,其中包括5,000万美元的现金收购价,以及将在2023年到期时支付的1.25亿美元卖方票据。根据Cree LED交易后前四个完整季度的收入和毛利表现,Cree还有可能收到高达1.25亿美元的盈利支付,也可以三年期卖方票据的形式支付。

Cree将在今年晚些时候将公司名称更改为Wolfspeed。

Cree首席执行官Gregg Lowe表示:“Cree LED的出售完成代表了我们转型过程中的一个重要里程碑,使公司成为一家纯粹的全球半导体巨头,并处于领先地位,引领行业从硅(Si)到碳化硅(SiC)的转型。”“全球各行业希望通过尺寸更小、更具可扩展性的电源系统提高效率和性能,这一发展趋势使我们更加聚焦重点,并加强了持续投资,以利用Wolfspeed碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)解决方案在电动汽车(EV)、5G和工业应用领域的数十年增长机会。”

Cree通过持续的产能扩张计划和技术领先地位,推动行业从硅到碳化硅的发展,包括其位于北卡罗莱纳州总部的超级材料工厂和位于纽约州Marcy的碳化硅制造工厂,后者建成后将成为全球最大的碳化硅制造工厂,也是世界上第一个200mm的碳化硅制造工厂,预计将于2022年投产。

众所周知,Cree是SiC/GaN材料及相关产品的供应商。SiC和GaN是两种具有更好的导热性、更高开关频率和更高温度的宽带隙半导体,可以耐受更高电压,因此在做器件的时候使用SiC和GaN,可使芯片更小、更轻、更快、更高效和更可靠,损耗更小。这些属性使其在许多应用中获得关注,在电源应用中尤为理想。因此,SiC和GaN广泛用于5G基站,尤其是功率放大器和RF芯片,以及在电力汽车等领域有广阔的应用前景。

将来对SiC和GaN的需求很有可能会增加。根据IHS Markit数据,2018年SiC功率器件市场规模约3.9亿美元,受电力汽车庞大需求的驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元,18-27年9年的复合增速接近40%。另根据分析机构Yole的数据显示,全球GaN器件市场规模2017年至2023年期间的复合年增长率为4.6%。这对包括Cree在内的供应商来说是个好兆头。

经过多年的发展,现在的Cree具备了SiC功率器件及GaN RF射频器件生产能力,其中SiC功率器件市场,Wolfspeed拥有全球最大的份额,公司在碳化硅(SiC)制造和研发方面不断加大投入,可以支持全球范围内对于这些技术不断增长的需求。考虑到该公司未来在这一快速增长的市场的巨大机会,很多投资者和行业人士看好Cree。
     责任编辑:tzh

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