基于CMOS工艺晶体管PN结温度效应的高精度低功耗数字温度传感器NST112

描述

模拟信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)借助基于CMOS工艺晶体管PN结温度效应的高精度低功耗数字温度传感器NST112,进一步丰富了其温度传感器产品种类,满足更多小尺寸低功耗应用场景需求。

NST112采用纳芯微高性能、高可靠性CMOS测温技术,能够很好地兼容外商产品,无缝实现国产化替代。纳芯微作为国产芯片提供商,能够更好地保证供应可靠性,降低客户供应链风险。NST112具有高输出精度、高线性度、低功耗以及高集成度等特性,无需额外电路,可有效降低整体方案成本,是无源热敏电阻的有效替代方案。除此以外,NST112具有强大的ESD保护能力以及丰富的封装形式:其SOT563封装适用于工控板卡测温、服务器测温、个人电脑测温、SSD测温、IoT温度监测以及电池温度监控等应用场景,更有DSBGA超小封装适合各类便携式穿戴设备测温,如智能手环、智能手表、无线蓝牙耳机、智能眼镜等。

主要特性:

兼容性强——NST112兼容I²C和SMBus的接口,具有可编程警报和SMBus重置功能,单路总线可最多支持4个器件,通信方式简单便利,可移植性更高。

精度高——NST112为高线性度模拟输出,无需校准。NST112具有0.0625℃的超高分辨率,常温下输出精度高达± 0.1℃(typ),全温范围内输出精度在± 1.5℃(max)以内。

运行功耗低——NST112支持default模式选择,功耗低至2.9μA@1Hz,测温精准,自发热小。

ESD耐压性能强——NST112具有±7KV 的超高HBM耐压,更好地保护器件免受静电破坏。

封装选择多样——NST112提供工业标准的SOT563封装及0.75mm×0.75mm的DSBGA(4)超小封装,可适合多种应用场景,几乎不占布局空间。

芯片

NST112功能框图

责任编辑:lq

 

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