LED CHIP IQC检验规范

工艺综述

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描述

LED CHIP IQC检验规范

1. 目的
1.1 制订LED Chip FQC检验规范。
1.2 订定成品入库批允收程序,以确保产品品质达一定水准。 2. 范围
本公司生产之所有LED产品均属之。

3. 内容
3.1 检验测试项目
3.1.1 光电性检验
3.1.2 外观检验
3.1.3 数值标示检验。

3.2 抽样计画(片数定义:晶片片数)

3.2.1 依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101) 抽片执行检验。
3.2.2 光电特性检验(VFH、VFL、IV)
(1)抽样位置:分页片边缘4颗,分页片内围6颗,均匀取样。
(2)抽样数量:每片10颗。
(3)每片抽样数,每一颗不良,则列一个缺点。
3.2.3 外观检验
(1)PS TYPE不良晶粒>2ea/sheet,列入一个缺点。
(2)NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离<6.5 cm者,不良晶粒>5ea/sheet,且>10 ea/wafer 列入一个缺点。
(3)缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同製作,作为人员检验之依据。 3.3 缺点等级代字
3.3.1 主要缺点代字:MA(Major)。
3.3.2 次要缺点代字:MI(Minor)。

3.4 参考文件
3.4.1 本公司產品目录规格书
3.4.2 研发工程產品测试分类规格
3.4.3 其他相关之品质文件

4. 光电特性检验
4.1 顺向电压VFH
4.1.1 依特定之额定电流点测,须低于规格上限。
4.1.2 规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、ALGAAs產品T/S前测站 作业指导书。
4.1.3 缺点等级:MA

4.2 顺向电压VFL
4.2.1 依特定之额定电流点测,须高于规格下限,低于上限。
4.2.2 规格:GaP≧1.5V,GaAsP≧1.3V,ALGAAs (1.25≦VFL≦1.5V),IR (0.70~1.0 V)。
4.2.3 缺点等级:MI

4.3 亮度Iv / Po
4.3.1 依特定之额定电流点测,须高于规格下限。
4.3.2 规格下限应参考测试分类规格及各產品T/S前测站作业指
4.3.3 导书判定。
4.3.4 缺点等级:MA

5. 外观检验﹙共同标准﹚

检验规范
6. 数值标示检验

检验规范

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