“硅基MEMS压电薄膜及器件关键技术与平台”的项目启动会

2021年3月20日，国家重点研发计划“制造基础技术与关键部件”重点专项项目“硅基MEMS压电薄膜及器件关键技术与平台”的项目启动会在诺思（天津）微系统有限责任公司隆重召开。工信部领导、专家委员会专家、中心推荐专家、MEMS传感器领域专家，天津市工信局、科技局、经开区电子局及天津大学精仪学院相关领导，武汉大学、中国科学技术大学、华中科技大学、国家纳米科学中心及天津大学等项目合作单位及课题组成员代表五十余人莅临诺思公司参会。与会专家对诺思公司牵头承担该项目获批国家立项均表示祝贺，认真听取了诺思公司发展历程及远景规划的报告，对项目的各子课题开题报告及总体组织与管理进行了充分讨论，对牵头承担单位诺思公司进行了参观和深入调研，项目启动会获得圆满成功。

“硅基MEMS压电薄膜及器件关键技术与平台”项目启动会现场

作为项目牵头承担单位代表，诺思（天津）微系统有限责任公司董事长、总经理及首席科学家向与会领导、专家及项目成员单位同仁表示热烈欢迎，并详细介绍了诺思的发展和近况。项目负责人对本项目立项情况进行了介绍，并表示各课题组参与单位将在未来三年将基于项目要求与诺思开展深入合作。

在技术方面，诺思核心研发团队发展出全新的ICBAR技术路线，具有独特性能优势；在BAW领域已申请的国内发明专利达316项，PCT专利130项，并在滤波器设计、器件结构、工艺、封装等多方面建立起强有力的技术壁垒。诺思已研发完成下一代更低成本、更高性能、更高功率的解决方案，产品线全面覆盖4G/5G频段，实测性能优良，解决了技术上的“卡脖子”问题。

在生产运营方面，经过前期良率爬坡、量产积累过程，诺思现已成为国内唯一具备大规模稳定交付能力、产品种类齐全、生产良率稳定、质量和可靠性已获客户验证的高端BAW芯片供应商，为全面国产替代做好了充分准备。当前，公司量产交付已上新的台阶，产线满产且7 x 24小时运行，客户订单供不应求。未来3年内的主要需求是进一步扩充量产产能，目标达到年产20亿颗芯片的产能规模，从而真正解决高端射频滤波芯片的国产供应难题。

工信部与会领导在讲话中对项目的立项背景和要求做了介绍，并对牵头单位诺思公司的准备工作表示认可，强调了诺思在项目过程中承担的法人管理职责。“硅基MEMS压电薄膜及器件关键技术与平台”是国家重点研发计划“制造基础技术与关键部件”的立项项目之一，针对5G/6G无线通讯、物联网等对射频滤波器、智能传感器提出新的技术要求，对实现晶圆级硅基MEMS压电器件的大规模生产、摆脱我国目前关键MEMS压电器件受制于人的局面，具有重要而深远的意义。

天津市科技局领导表达了市级主管部门对诺思的大力支持以及对保证项目顺利实施完成的信心，并对诺思作为天津高新技术企业的代表，在射频滤波芯片领域聚焦研发，率先解决了“卡脖子”技术难题，取得的成绩倍感振奋与鼓舞。他代表市科技局，希望借助国家重点研发计划项目的契机，形成对产业化平台发展的新的推动力。

专家委员会首席责任专家在会议上对诺思的技术研发和量产能力给予了高度评价。首席专家指出，诺思花费多年心血建设成的这条6英寸硅基MEMS滤波芯片生产线，对于国内射频前端产业链的完整性和安全性，有着至关重要的意义。希望诺思继续发挥量产平台优势，与国内高校和科研院所实现联动效应，培养一支能够有效支持产线运营、并将产品推向市场应用的高级人才队伍，为MEMS领域的前沿成果落地和产业持续发展做出更大的贡献。

其他众多行业知名专家也出席会议并对此项目的意义和实施方案发表了重要意见。

 

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