支持120W快充｜亚成微推出3D封装技术高集成电源芯片，助力大功率、高密度快充量产

近年来，手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便，它可以大为减少便携式电子设备的充电时间，提高人们工作和生活的效率。但随着经济的发展以及人们生活节奏的不断加快，更快充电速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求。为了适应这种需求，亚成微电子在近日推出了采用3D封装技术的高集成度电源管理解决方案，这是一种全新的解决方案，该系列芯片集成、MOS、MOS驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。可有效帮助快充电源厂商实现更小体积、更大功率快充产品的量产并节省物料成本。

4合1高集成电源芯片RM6620DS

功能特点

■ 支持CCM/QR混合模式

■ 内置700V高压启动

■ 集成X-CAP放电功能

■ 内置650V 超结MOSFET

■ 专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计

■ 支持最大130KHz工作频率

■ 内置特有抖频技术改善EMI

■ Burst Mode去噪音

■ 低启动电流（2uA），低工作电流

■ 集成斜坡补偿及高低压功率补偿

■ 集成AC输入Brown out/in功能

■ 外置OVP保护

■ 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

原理图

氮化镓（GaN）方案

3合1高集成电源芯片RM6801SQ

 

功能特点

■ 支持CCM/QR混合模式

■ 专有ZVS技术

■ 内置700V高压启动

■ 专有驱动技术，易于搭配E-mode GaN功率器件改善EMI设计

■ 集成X-CAP放电功能

■ 支持最大130KHz工作频率

■ 内置特有抖频技术改善EMI

■ Burst Mode去噪音

■ 低启动电流（2uA），低工作电流

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿

■ 集成AC输入Brown out/in功能

■ 外置OVP保护

■ 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

原理图

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