富士通FRAM是断电情况下也能保留数据非易失性的存储器

富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262，144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的存储单元可用于1010个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85R4002A使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。

引脚封装

特点

•位配置：262，144字×16位

•LB和UB数据字节控制

•读写续航力：1010次/字节

•数据保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）

•工作电源电压：3.0 V至3.6 V

•低功耗运行：工作电源电流15 mA（典型值），待机电流50μA（典型值）

•工作环境温度范围：−40°C至+ 85°C

•封装：48引脚塑料TSOP（FPT-48P-M48）

符合RoHS

非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供应用解决方案等产品服务。

fqj