Flash存储器的擦写操作流程

　　ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技术，64K用户区间，支持IAP/ISPFlash擦写技术。MCUFlash采用32位数据总线读写，充分利用32位ARMCPU性能优势，同时它的512字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。Flash存储器支持的操作如下：

　　读操作：

　　ARMCPU可以通过读指令直接从嵌入式Flash读取数据，最高支持达30MHz的读取速度。当CPU时钟超过Flash的最大读取速度时，需要插入延迟时钟，延迟时钟由RDCYC寄存器控制。

　　FLASH擦写操作：

　　Flash擦写采用扇区擦除，字（WORD）写入模式，并通过一寄存器组实现。擦写地址必须是32位对齐。擦除扇区流程如下：

　　①、向地址寄存器写入要操作的FLASH地址。

　　②、发FLASH扇区擦除指令0x04。

　　③、判断FLASH是否处于忙状态，不处于忙状态则流程结束。

　　字（WORD）编程的流程如下：

　　①、向地址寄存器写入要操作的FLASH地址。

　　②、向数据寄存器写入要编程的数据。

　　③、发FLASH扇区擦除指令0x02。

　　④、判断FLASH是否处于忙状态，不处于忙状态则流程结束。

　　这里要注意的是如果要编程数据，一定要先进行擦除步骤，然后再向FLASH进行编程操作。否则直接执行编程流程是无效的。
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