SGT-MOS结构及转移特性详解

SGT-MOS结构

屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um

屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um

屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um

屏蔽栅宽度：0.4um

屏蔽栅纵向长度：3.4um

（2）SGTMOS转移特性

SGT（split-gate-trench，分裂栅极沟槽）结构因其具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽（p-body/n-epi结）基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压，该结构在中低压功率器件领域得到广泛应用。

MOS器件第一个深沟槽（Deep Trench）作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻（RSP）和栅极电荷（Qg）。
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