Everspin MRAM加强了RIM智能电表的即时非易失性

今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。

Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM专为需要数据完整性，内存可靠性和低能耗的强大环境而设计，其系统具有快速，对称的读/写性能和无限的耐用性。这些优势使RIM的三相智能电表能够快速，频繁且即时地非易失性存储关键电表数据。在断电或篡改的情况下，RIM系统能够立即将关键数据保存并保护到MRAM，而无需外部电池或超级电容器。

因此在重新启动或授权访问RIM仪表后，可以立即恢复或显示仪表的最后状态以确保操作的连续性。 RIM三相智能电表在俄罗斯获得GOST 52320-2005认证，已指定在恶劣环境中部署30年，具有自我诊断能力，并能抵御气候，机械和电磁影响。

RIM首席技术官说：“ Everspin是帮助我们提供具有高数据完整性的智能电表的关键供应商。 Everspin的高性能非易失性MRAM简化了我们的设计，并为我们的用户提供了一个强大而值得信赖的平台，使您可以放心，当我们的产品部署在不可预测的环境中时，其计量数据是安全的。”

Everspin MRAM市场营销表示：“我们的使命是提供能够为客户提供各自市场竞争优势的内存解决方案，我们很高兴RIM的支持MRAM的智能电表取得了巨大的成功。 Everspin的MRAM存储器为能源市场带来了关键优势，包括无限使用，即时数据完整性以及对系统范围的防篡改的支持。”

Everspin的4兆MR25H40 MRAM具有标准的串行外围设备接口（SPI），并已通过标准的8引脚DFN封装全面投入生产。由于实现了MR25H40并像异步SRAM一样执行读/写操作，因此MRAM产品可以放入几乎任何标准的8引脚SPI接口SOIC或DFN插座中，而无软件开销。Everspin代理宇芯电子支持提供技术相关支持。

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