富士通FRAM在存储智能电表重要数据应用中的作用

工业物联网的蓬勃发展，对数据链上如数据采集、数据记录、数据处理等各个环节的应用提出了更高的要求。对于智能电表而言，数据记录及存储需要考虑准确记录、非易失性、耐久度等多个方面的需求。因此智能电表方案商需考虑挑选合适的存储产品予以应对。富士通FRAM在需要准确记录和存储智能电表重要数据的应用中、发挥着关键作用。

例如电表使用的重要数据，需要在非常短的间隔（1-3次/秒）里保存在存储器，并确保掉电情况下数据依然完整。

图1：智能电表选用FRAM可确保掉电情况下数据依然完整

以256Kb独立FRAM存储器为例，每写入1Byte数据，所需时间仅为150ns。因此富士通FRAM在智能电表应用中带来了关键的优势：掉电保护重要数据。国家电网公司也有规定，重要数据必须以1次/秒的频率实时记录到存储器，按照智能电表10年运行周期来计算，存储器需达到写入次数为：1*60*60*24*365*10=3.2亿次。当前单片FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次。

显然选用高速、高读写耐久性的富士通FRAM能够满足数据写入性的要求，并在掉电或者其它异常情况发生时，能确保重要数据的完整记录，从而确保电力产业的准确收费。富士通FRAM在智能电表行业已深耕10年之久，内置有富士通FRAM的智能电表是当前电力公司所追求的理想解决方案，为智能电表行业提供高性能、高可靠的存储方案。

在物联网时代，企业与消费者对数据保密与安全的认知进一步提升。若遇到黑客违法盗取及分析电表的机密数据，将导致大范围的信息泄露。对此富士通FRAM赋予了智能电表应用的另一优势，就是防止黑客盗窃或篡改数据。当黑客的篡改事件发生时，低功耗和高速的FRAM可以利用给RTC供电的小型电池电源，瞬间消去重要数据，从而确保电力用户的信息安全。

例如FRAM仅需0.1mA的工作电流，就能够在0.3ms的时间内擦除256bit的数据，相比EEPROM拥有显著的优势。

图2：智能电表防止黑客盗窃或篡改信息的系统构成及FRAM高速擦除数据的优势

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