半导体分立器件I-V特性测试方案的详细介绍

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近期有很多用户在网上咨询I-V特性测试, I-V特性测试是很多研发型企业和高校研究的对象,分立器件I-V特性测试可以帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。

I-V特性测试难点:

种类多

微电子器件种类繁多,引脚数量和待测参数各不相同,此外,新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。

尺寸小

随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级,这些对低噪声源表,探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。

I-V特性测试方案:

针对I-V 特性测试难点,安泰测试建议可采用keithley高精度源测量单元(SMU)为核心测试设备,配备使用简便灵活、功能丰富的 CycleStar 测试软件,及精准稳定的探针台。

半导体

图:系统配置连接示意图

测试功能:

这是一个简单易用的I-V特性测试方案,无论对于双端口或三端口器件,如二极管、晶体管、场效应管都很适用。

• 二极管特性的测量与分析

• 双极型晶体管 BJT 特性的测量与分析

• MOSFET 场效应晶体管特性的测量与分析

• MOS器件的参数提取 

吉时利源表将数字万用表 (DMM)、电源、实际电流源、电子负载和脉冲发生器的功能集成在一台仪器中。通过吉时利源表进行分立器件 I-V 特性测试时,支持同时操作两台吉时利源表,轻松完成三端口器件测试。此外,因为吉时利源表兼顾高精度和通用性,广泛适用于教育、科研、产业等众多行业。

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