前言
上文中,我们介绍了DDR芯片的物理层及协议测试,本文我们继续给大家揭秘如何利用是德科技的ADS仿真软件辅助进行DDR的电路仿真,验证和分析。
是德科技ADS简介
是德科技PathWave Advanced Design System (ADS) 是一款最可信赖的仿真、验证和分析解决方案,通过特有的电磁及DDR总线仿真器,精确提取完整链路的特性,表征从controller到memory的性能结果。帮助工程师减少设计风险,减少迭代次数。
ADS主要特性:
通过DDR Sim和Transient两种仿真器,获得眼图和时域波形等影响。
通过优化过的仿真界面,简化仿真流程,帮助工程师快速搭建仿真结构。
通过SIPro,快速准确的提取PCB电磁参数。
通过CILD和Via Designer,获得前仿真模型。快速得到layout约束条件。
准确获得抖动,串扰,噪声等因素的影响。
DDR应用设计流程
ADS非常适用于DDR相关应用的设计,通过特有的电磁及DDR总线仿真器,精确提取完整链路的特性,表征从controller到memory的性能结果,减少设计风险及迭代次数。
采用ADS的设计流程如下所示:
图:是德科技DDR相关应用设计流程示意
在上图中所示的各个流程中,ADS均具备独特的优势,如下我们为大家分别介绍:
芯片AMI建模:
ADS Memory Designer中内置了专门用于DDR5的AMI模型的创建模块。通过向导式的界面,将均衡的算法自动生成AMI模型。
前仿真模型设计
ADS CILD是可以参数化生成传输线模型,支持差分,单端,宽边耦合等的微带线,带状线以及共面波导。
通过分析功能可以快速对设置好的传输线进行EM仿真,获得阻抗,损耗,反射,延时等信息。通过优化功能,预设目标阻抗。通过软件直接自动对某一参数进行优化,获得满足目标阻抗要求的结果。通过扫描功能,对多个参数进行扫描,获得不同参数影响下的传输线特性。通过统计功能,将工艺误差等因素考虑其中,仿真获得误差影响下的传输线特性,可用于良率分析以及误差控制。
而设计的结果可以生成模型用于ADS原理图仿真,验证整体通道特性,同时,也可以保留参数变量用于ADS原理图中参数扫描。
Via Designer可以通过参数化,生成过孔模型,支持单端,差分等各类通孔,盲孔,埋孔,微孔,支持背钻功能及过孔阵列。通过FEM算法获得过孔S参数及TDR信息,也可以一键调用EMPro并自动生成对应三维模型,用于后续更为复杂的编辑及仿真。
其通过参数化建模,大大节约过孔建模所需时间。而通过FEM仿真,可以得到十分精确的过孔S参数和TDR结果。同时,通过预设配置信息,简化仿真设置步骤。仿真结果可以生成模型用于ADS原理图仿真,验证整体通道特性,同时,也可以将其一键导出可编辑的三维结构,用于EMPro进行编辑,仿真等。
DDR通道仿真(前仿及后仿)
ADS Memory Designer是ADS中专门针对DDR仿真定制的组件,可以减小DDR仿真的复杂度,同时保证DDR仿真的效率和精度。
在Memory Designer中,只需要一张原理图便可以分别进行通道和瞬态仿真,如下图所示:
图:Memorydesigner 仿真原理图
DDR bus低误码率的仿真流程如下图所示:
图:DDR BUS 低误码率仿真流程
此外,Memory Designer 中的DDR BUS 仿真器,使用通道仿真技术,根据信号的上升与下降,提取对应的阶跃响应,快速精确的仿真出DDR眼图及波形。同时可以将抖动,串扰,均衡等因素都考虑其中,而Batch simulation和前仿真模型的使用,可以在layout前期分析各种参数对DDR设计性能的影响。
基于Keysight 成熟的通道仿真算法,Memory Designer可以准确预测在低误码率情况下的抖动对信号的影响。并将当DQ 与DQS 存在时间差时,由于trigger传声的抖动追踪现象进行分析,如下图的案例。
图:抖动追踪分析案例
PCB电磁参数提取:
ADS SIPro是一款专用于PCB仿真的EM仿真工具,针对引脚众多的DDR信号,SIPro中内置了DDR设置向导,可以帮助用户快速进行DDR仿真设置,如下图的示例:
图:PCB S参数提取 - SIPro
只需要选择控制器及内存模块,相应的网络就会由软件自动筛选提取,勾选需要仿真的网络名后,对应的仿真设置便会自动生成。整个过程只需要一分钟左右的时间。
此外,SIPro可以快速准确的提取PCB信号的S参数,可信频率高达40GHz。对于DDR中常见的共用返回路径的情况,SIPro通过算法识别过孔区域,使用三维电磁场算法FEM,精确提取由此产生的串扰,保证仿真精度。
原文标题:DDR芯片仿真与验证
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责任编辑:haq
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