维信诺展示在“终极全面屏”上两个向度的创新突破

自手机摆脱机械按键进入触屏时代以来，“更大屏幕”便成为了产业界孜孜不倦追求的永恒命题，产业界开始了不断提高屏占比的探索，并向“终极全面屏”发起了冲击，在这其中，便以HIAA极致开孔、屏下摄像、极窄边框为主要突破点。

此次SID DW2021上，维信诺以HIAA极致开孔、InV see Pro屏下摄像解决方案，展示了在“终极全面屏”上两个向度的创新突破：保留前置开孔时，将孔边框降低至极限；将摄像头至于屏幕下方时，全面提高显示与拍照平衡的屏幕综合性能。

终极全面

HIAA极致开孔

基于创新设计的TFT阵列结构和OLED器件，维信诺HIAA极致开孔不仅可使HIAA孔边框尺寸降低至极限，其中盲孔方案低至0.1mm，通孔方案低至0.3mm，更可使“变化开孔孔径时，保持孔边框不变”。

不同阵列结构设计对“开孔孔径vs孔边框变化”的影响

其中，HIAA通孔方案通过孔区阵列膜层优化、创新隔离柱结构等封装工艺优化，着力于提升封装可靠性；而HIAA盲孔方案，则通过创新设计的PI衬底、孔区阵列、阴极膜层、模组物料等结构，大幅提高盲孔区的透过率，以保障前置摄像头的拍摄效果。

终极全面

InV see Pro屏下摄像解决方案

InV see Pro屏下摄像解决方案，是在InV see全球首创的“一驱多”阵列设计基础上，进一步提高像素密度，同时扩大透光通道，使显示效果和屏幕透过率的完美平衡再次升级。

维信诺拥有屏下摄像技术实现量产的关键底层专利，全球首创“一驱多”阵列设计思路，即“1个子像素驱动电路同时驱动其他同色子像素”，简化透明区布线设计，极大增加透过率，使屏下摄像技术的量产成为可能。该技术是“屏下摄像”最为关键的底层专利技术，是现有工艺条件下突破量产的必由之路。

维信诺InV see Pro屏下摄像创新方案专利池覆盖阵列设计、OLED、像素排布、材料、驱动等多个屏下摄像核心领域。维信诺于2007年开始PMOLED透明屏研究，奠定了屏下摄像初步探索方向，并在AMOLED时代继续创新衍生，目前已历经多次技术及工艺创新迭代。

除了上述可量产方案，维信诺同样致力于更多“屏下”创新技术的探索。目前，通过特殊工艺设计，透明区940nm波段透过率已达到45%以上。未来，该技术还将覆盖屏下光学传感器全模组，复合的光学传感器模组对不同波长的透过率、控制衍射等要求更为复杂，也为AMOLED创新提出了更多挑战，维信诺将以深厚的AMOLED技术积淀和持续探索创新的实力，推出更多提升人类视觉享受的AMOLED创新解决方案。

对于未来创新视界，此次SID DW2021上，维信诺也展示了Micro-LED自主创新的研究成果——TFT背板、巨量转移、驱动算法及模组形态，这些技术将共同组成维信诺Micro-LED新型显示量产解决方案，敬请期待……

原文标题：维信诺@SID DW2021丨极致全面·探索未来

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责任编辑：haq