Flyback电源EE型与EI型磁芯在EMC方面的那点小细节
这个问题说简单也简单,说不简单它也比较考验一个工程师的基础扎实不扎实。这里面有些技术细节还是比较容易被忽视的。
这里我们不必牵扯到太多的磁芯材质本身及制造上的问题,关键看应用上的细节区别,毕竟我们是应用工程。
可能会有些网友认为只要两者的材质,体积等参数一样,处理功率能力一样应该是可以互换的使用的。但是,实际上不是这样的,两者的机构决定了其在EMC方面的表现是不一样的。
我们先来看一下EE型磁芯的反激变压器结构(为节省时间,就用画图随手涂鸦一下,将就着看吧):
众所周知,Flyback拓扑变压器是需要在中柱开气隙的,如上图所示。磁芯开气隙后,显然边缘漏磁通会增大,假设磁通如黄色所示。搞过EMC的应该都知道漏磁通的威力,此处不必多言。
然而,EE型磁芯有天生的优势,因为其气隙在中柱中间,气隙外层有厚厚的绕组屏蔽。由于绕组自身的屏蔽作用,漏磁通辐射到外部空间的可能大大降低。
下面我们看一下EI磁芯的结构:
如上图可知,EI磁芯的气隙要加载E片和I片的接触位置,即气隙位于边缘处。这样一来,绕组本身所起的屏蔽作用就大打折扣,甚至无能为力。
从两张图来看,这两种结构在EMC方面的表现就不言而喻了吧。
因此,本人设计电源时都避免选用气隙会开在边缘处的磁芯型号。
编辑:jq
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