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前一段时间,IBM宣布制造出全球首款2nm工艺节点的芯片,让不少人期待2nm芯片可以早日实现量产。近日,半导体工艺方面又传来了喜讯。台积电(TSMC)与台大(NTU)和麻省理工(MIT)合作,在研发1nm芯片方面取得了重大突破。
近日,全球最大的芯片代工厂台积电联合台大、麻省理工宣布,1nm以下芯片已取得了重大进展,相关研究成果已发表于《自然》杂志。
研究人员发现,利用半金属铋(Bi)作为二维材料的接触极来替代原有的硅元素,这样可以利用铋元素大幅度降低电阻并大大提高传输电流。该发现首先由MIT团队提出,然后台积电和NTU进一步进行了完善。在未来,这可以提高芯片的性能和能源效率。
台积电计划在2022年下半年3nm工艺节点进入批量生产阶段,目前还在进行2nm工艺节点的研发,1nm工艺节点要实现真正量产估计还要等上好些年。
台积电一直走在先进技术的前沿,目前已经成功突破5nm芯片工艺,并且成功量产。但是5nm并不是终点,而是对高端工艺探索的起点。
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