H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构

IGBT应用电路

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描述

H桥IGBT功率单元

IGBT

本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元,其拓扑结构如图1 所示。其中,电容C1、C2 各由四个6800 μF 电解电容并联组成,开关器件为三菱公司的半桥IGBT 模块CM300DY-24A。

实验装置中直流母线的机械结构如图2 所示,图中的A~F 与图1 相应标注表示同一位置。其中,A 接直流电容正极,与之相连的母线称为正母线(为便于测量母线电流,分成正母线1 和正母线2 两部分);相应地,B 接直流电容负极,与之相连的母线称为负母线;C、D 和E、F 分别接接两个半桥IGBT 模块。

IGBT

试验装置的母线结构

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