ASML第二代EUV光刻机跳票三年，售价恐贵出天际

第二代EUV光刻机原本预计最快可以2023年问世，但最新传闻称NXE:5000系列跳票，而且一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能问世了。

要知道，ASML是全球唯一一家量产EUV光刻机的。台积电、三星、Intel的7nm、5nm，以及未来的3nm、2nm都要依赖EUV光刻机，单台售价超过1亿美元，成本极高。

目前，ASML的EUV光刻机使用的还是第一代，EUV光源波长在13.5nm左右，物镜的NA数值孔径是0.33，发展了一系列型号。

其中，最早量产出厂的是NXE:3400B，其产能有限，一小时生产晶圆是125PWH；目前的出货主力是NXE:3400C，产能提升到了135WPH；今年年底还有NXE:3600D系列出货，产能再进一步提升到160WPH，不过价格也会上涨到1.45亿美元。

现在第一代的EUV光刻机NA指标太低，第二代EUV光刻机会是NXE:5000系列，其物镜的NA将提升到0.55，进一步提高光刻精度，半导体工艺突破1nm工艺就要靠下一代光刻机了。

然而，NA 0.55的二代EUV光刻机没那么容易，现在一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能问世，这对芯片产业的发展速度无疑是个打击。

不仅时间延期，二代EUV光刻机的价格也会大涨，预计将会达到3亿美元，是现有EUV光刻机的2-3倍。这意味着，未来的芯片工艺成本极其昂贵，哪怕真能做到1nm工艺，那高昂的成本也会让大多数公司退而却步。

如果照此发展下去，估计1nm工艺的大客户就剩下苹果自己了。

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