CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管

CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管

　　CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A，4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。

　　VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225 度，CHT-PMOS3002 的栅极漏电流保持低于 50nA，而其漏极电流低至10μA，其开启延迟时间为30ns。此系列导通电阻和输入电容范围分别为从0.4Ω 至 1.7Ω 及从 150pF 至 450pF。

 

　　CISSOID 的 VENUS系列在恶劣环境下，从摄氏负 55 度到 225 度，使任何需要可靠功率控制的系统能得以设计，从电机驱动器，DC-DC 转换器和开关电源，到逆变器。此外，P通道晶体管使设计及高边开关的控制更容易，避免引导或电荷泵技术。有了 VENUS 产品，系统设计工程师可以节省成本，提高可靠性，改善重量，同时从其应用中禁止液体冷却，例如工业通程控制，汽车电池充电器和飞机执行器。