国产SRAM芯片EMI501HB08PM45I概述及特征

在过去的几十年中，SRAM领域已划分为两个不同的产品系列，快速和低功耗，每个产品都有自己的功能，应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性，但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备，以便在依靠便携式电源运行时执行复杂的操作。这种需求由新一代医疗设备和手持设备，消费电子产品和通信系统及工业控制器推动，而这些都由物联网驱动。

下面介绍一款可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI的国产SRAM芯片EMI501HB08PM45I。

EMI501HB08PM45I描述

EMI501HB08PM45I异步低功耗SRAM由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽128k x 8bit，支持工业温度范围，工作输出电压为4.5V〜5.5V，以实现系统的灵活性设计。还支持低数据保留电流的电池备份操作的低数据保留电压。

EMI501HB08PM45I特征

•工艺技术：90nm全CMOS

•组织：128k x 8bit

•电源电压：4.5V〜5.5V

•三种状态输出和TTL兼容

•标准32SOP.

•工业运行温度。

低功耗SRAM存储器，应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，作为静态随机访问存储器的一种类别，SRAM作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。

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