半导体器件
可控硅参数符号说明
参数符号说明:
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
it(av)--通态平均电流
vrrm--反向重复峰值电压
idrm--断态重复峰值电流
itsm--通态一个周波不重复浪涌电流
vtm--通态峰值电压igt--门极触发电流
vgt--门极触发电压ih--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
rthjc--结壳热阻
viso--模块绝缘电压
tjm--额定结温
vdrm--通态重复峰值电压
irrm--反向重复峰值电流
if(av)--正向平均电流
ards---漏源电阻温度系数
场效应管,晶闸关,可控硅,参数符号意义
cds---漏-源电容
cdu---漏-衬底电容
cgd---栅-源电容
cgs---漏-源电容
ciss---栅短路共源输入电容
coss---栅短路共源输出电容
crss---栅短路共源反向传输电容
d---占空比(占空系数,外电路参数)
di/dt---电流上升率(外电路参数)
dv/dt---电压上升率(外电路参数)
id---漏极电流(直流)
idm---漏极脉冲电流
id(on)---通态漏极电流
idq---静态漏极电流(射频功率管)
ids---漏源电流
idsm---最大漏源电流
idss---栅-源短路时,漏极电流
ids(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
ig---栅极电流(直流)
igf---正向栅电流
igr---反向栅电流
igdo---源极开路时,截止栅电流
igso---漏极开路时,截止栅电流
igm---栅极脉冲电流
igp---栅极峰值电流
if---二极管正向电流
igss---漏极短路时截止栅电流
idss1---对管第一管漏源饱和电流
idss2---对管第二管漏源饱和电流
iu---衬底电流
ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
gfs---正向跨导
gp---功率增益
gps---共源极中和高频功率增益
gpg---共栅极中和高频功率增益
gpd---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
k---失调电压温度系数
ku---传输系数
l---负载电感(外电路参数)
ld---漏极电感
ls---源极电感
rds---漏源电阻
rds(on)---漏源通态电阻
rds(of)---漏源断态电阻
rgd---栅漏电阻
rgs---栅源电阻
rg---栅极外接电阻(外电路参数)
rl---负载电阻(外电路参数)
r(th)jc---结壳热阻
r(th)ja---结环热阻
pd---漏极耗散功率
pdm---漏极最大允许耗散功率
pin--输入功率
pout---输出功率
ppk---脉冲功率峰值(外电路参数)
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---下降时间
trr---反向恢复时间
tj---结温
tjm---最大允许结温
ta---环境温度
tc---管壳温度
tstg---贮成温度
vds---漏源电压(直流)
vgs---栅源电压(直流)
vgsf--正向栅源电压(直流)
vgsr---反向栅源电压(直流)
vdd---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
vgg---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
vgs(th)---开启电压或阀电压
v(br)dss---漏源击穿电压
v(br)gss---漏源短路时栅源击穿电压
vds(on)---漏源通态电压
vds(sat)---漏源饱和电压
vgd---栅漏电压(直流)
vsu---源衬底电压(直流)
vdu---漏衬底电压(直流)
vgu---栅衬底电压(直流)
zo---驱动源内阻
η---漏极效率(射频功率管)
vn---噪声电压
aid---漏极电流温度系数
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