三星的闪存技术在全球闪存市场中的地位了解

以声音和文字为核心的数据通信时代已经过去，我们迎来了海量数据流通的5G和大数据时代，与之相应，大容量存储设备的重要性与日俱增。因此，闪存在第四次工业革命的大环境中占据一席之地，可以说是时代发展的必然趋势。

一直以来，三星以其高性能和高质量的产品及解决方案，保持着较为靠前的市场地位。三星于2002年全球范围内实现1Gb（千兆比特）NAND闪存量产，在全球闪存市场有着极高占有率，又于2013年实现3D V-NAND闪存量产，再次谱写新的历史。

化局限为机会！

超越精微局限，开启3D存储芯片时代

 

▲ 三星的1Gb NAND闪存（左），2Gb NAND闪存（右）

凭借先进的技术，三星于上世纪90年代不断强化其在DRAM存储市场上的影响力，2000年以来又开始在闪存领域陆续取得成果。继1999年开发出1Gb NAND闪存以来，三星分别于2002年开发出2Gb，2003年开发出4Gb，2004年开发出8Gb，2005年开发出16Gb， 2006年开发出32Gb， 2007年开发出64Gb闪存，不断提升容量。

※CTF（Charge Trap Flash） ：将多孔（Trap）氮化物（N）作为绝缘体，在孔内填入电荷来区分0与1的方式。用绝缘体氮化物替代原本导体浮栅的存储方式，从根源上杜绝邻近单元间的串扰问题。 与此同时，三星在微电子工程的地位也得到强化。其分别于2002年成功开发出90纳米，2003年开发70纳米，2005年开发50纳米，2006年开发40纳米，2007年甚至突破当时公认的技术局限，成功开发出30纳米级别的芯片。

▲ 浮栅技术、CTF技术和3D V-NAND技术对比

一方面，三星于2006年突破了普遍应用的浮栅技术的局限，开创CTF（Charge Trap Flash） NAND技术，实现40nm 32Gb NAND闪存的商用化。

然而随着精微化和量化程度的提升，CTF NAND技术也遭遇了其技术瓶颈。自引入10nm级别制程的128Gb闪存问世以来，存储数据的单元越来越小，相邻单元的间隔也越来越小，因电子迁移而引起的干涉现象也变得日益严重。

▲ 三星于2013年实现量产3D V-NAND闪存

为解决这一问题，三星于2013年8月量产3D垂直闪存，突破了芯片精微技术的局限。自此，3D集成技术得以商用，存储芯片从平面过渡到立体，拉开了3D立体芯片时代的序幕，这在当时成为了震撼全球的热点新闻。

与此前的平面NAND相比，应用了三星独家技术“3D圆柱形CTF（3D Charge Trap Flash）单元结构”和“3D垂直叠层工程技术”的V-NAND，具有速度更快、耗电更低、耐久度更强的三重优势，可以对控制阀门中存储的电荷实现更为高效稳定的管理。不同于在平面上制造精微电路并水平排布单元的平面闪存，3D垂直闪存的结构是在竖直方向进行单元叠层的方式。这可以看作是三星通过单元结构和工程创新，来突破存储集成度限制的三星NAND闪存技术的结晶。此后在太字节（TB）时代中占据主导地位的大容量闪存量产技术，也就此得到保障，从这一点来说，这项技术也有着重大的意义。

文章出处：【微信公众号：三星半导体和显示官方】

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