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随着微电子技术的迅猛发展,SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中,SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。
随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作,但当电源断开时,存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路,它的代码的读出是非破坏性的,并不需要相应的刷新电路,因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶体管来存储一位的信息(采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据),因而其位密度比其它类型的低,造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
介绍一款伟凌创芯(EMI)1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I,该产品采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片级封装,电源电压为4.5V~5.5V,以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压,用于以低数据保留电流进行电池备份操作。
特征
●工艺技术:90nm Full CMOS
●组织:128KX8bit
●电源电压:4.5V~5.5V
●三态输出,TTL兼容
●标准32SOP
●工业操作温度
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