思睿达TT6890A 快充30W A口+C口方案分享 2362A缺货看过来

快充 30W A口+C口方案介绍：

 

输入2颗22uf400V电解电容，输出2颗固态电容330uf25V+820UF25V，输入滤波器为0.1uf X电容+磁环共模+工字π滤波。初级PWM  IC XX2362+12N65 MOS，次级同步整流为力生美LN5S03+10mR 100V MOS，协议IC为英集芯IP2726+两颗深圳锐骏NMOS Ru3040M（4.8mR@10v 30Vmos），拆解图如下。

 

本文图源   思睿达

 

关于TT6890A

 

特点：完美兼容XX2362A

 

应用领域：30W PD快充，65W适配器电源；

 

基本应用：AC/DC适配器、电视及监视器电源、打印机、存储设备电源

 

优势：1）高性价比，成本节省30%以上；2）高稳定性。

 

TT6890A是一款高集成度、低待机功耗的CCM+QR混合电流模式 PWM 控制器。TT6890A轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。

 

TT6890A提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。

 

通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。TT6890A提供SOT23-6L的封装。

 

管脚排列

 

管脚描述

 

典型应用

 

模块说明

 

极限参数

推荐工作环境

电学参数(TA=25°C 除非特别说明VDD=18V)

启动部分

 

芯片启动电流很小，因此可以用较大的启动电阻，既能满足启动需要，又可以达到减小功率损耗的目的。当VDD上的电容电压达到启动电压，IC 启动，以后VDD就由辅助绕组 提供能量。

 

绿色节能

 

对反激电源而言，主要的待机损耗包括传导损耗、开关损耗和控制芯片的损耗，而这些损耗都和开关频率有关。TT6890A为多模式PWM控制器，在重载时TT6890A工作在PWM模式，频率为65kHz，通过调节脉冲宽度控制输出电压。FB电压随着负载减小而减小，当FB电压小于设定电压值VREF_GREEN时，内部模式控制器进入PFM，振荡器的工作频率随着负载的降低而降低，并最终箝位在22kHz附近，当FB电压继续减小时，内部模式控制器进入CRM （Cycle Reset Mode），从而进一步降低待机功耗。TT6890A在低压负载较重时工作在连续导通模式(CCM)，此时每个周期由内部振荡器开启，当负载降低或者输入电压变高时，系统工作在断续导通模式(DCM)，此时工作模式为受振荡器控制的谷底导通模式，以此减小开启时刻的功率损耗，提高中低负载的效率。

 

内部同步斜坡补偿

 

电流模式控制比普通的电压模式控制具有很多优点，但是同样存在着一些缺点。特别是当PWM 占空比大于50%,整个控制环路可能变得不稳定,抗干扰性能变差。TT6890A内置一个同步的斜坡补偿可以提高系统的稳定性，防止电压毛刺产生的次谐波振荡。

 

多功能复用的PRT引脚

 

TT6890A提供了精确的外置OTP保护和输出过压保护功能，此功能通过 PRT脚进行检测。在功率MOS管关断时，通过检测从辅助绕组流进PRT 脚的电流检测输出电压状态，通过调节PRT 脚上偏电阻可以精确设置输出OVP功能。在功率管开启过程中，PRT脚向外流出电流，每间隔一个周期的向外流出电流差值为100uA，这100uA在温敏电阻上会形成相 应的电压，如果该电压触发了外置 OTP 阈值电压，则经过一段时间后触发外置OTP保护。

 

谷底检测

 

在功率MOS关断后，辅助绕组正端电压由负电压变为正电压，变压器进入退磁阶段，当退磁结束后，辅助绕组正端的电压开始下降并以一定的谐振频率开始振荡，此时通过检测PRT引脚的电压来检测谷底，当检测到内部振荡器的下降沿到来后的下一个谷底时，功率MOS的下一个导通周期开始。

 

软启动

 

VDD电源启动瞬间，TT6890A 芯片内部都将触发软启动功能，即在 VDD电压达到UVLO_OFF以后，在大约2.5ms时间内，峰值电流从0上升到最大值峰值电流，以减少电源 启动期间功率管电压应力。注意：无论何种保护导致的VDD再次启动，都必将触发软启动功能。

 

前沿消隐(LEB)

 

开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺，它通过RCS采样后，对内部逻辑电路带来干扰，引起内部寄存器的误动作。为了消除开关毛刺的影响，TT6890A中设计了 300ns 的前沿消隐电路，它可以代替传统的外接RC滤波电路，简化外围设计。

 

功率输出

 

TT6890A采用特殊的驱动输出，采用软驱动模式，降低功率 MOSFET 开关噪声，同时 减小了功率 MOSFET 开关损耗。同时内部振荡器采用抖动方式，降低工作噪声，简化EMI设计。

 

保护功能

 

TT6890A提供了丰富的保护功能，比如 cycle-by-cycle 电流限制、UVLO、输出二极管 短路保护、OTP和OVP等。

当输出过载或短路发生时，FB电压会上升，当 FB大于4.4V，并持续 60ms，内部的过功率保护电路触发并关断 GATE，系统处于锁定状态，直到VDD降到UVLO_ON以下系统才 能重新启动。当输出续流二极管发生短路时，CS电压会上升，当CS电压大于 1.1V，并持续八个周 期，内部的保护电路触发并关断 GATE，系统处于锁定状态，直到 VDD 将到 UVLO_ON以下 系统才能重新启动。

 

降低EMI技术

 

TT6890A具有频率抖动功能，即开关频率以 65kHz 为中心频率，在±6%的范围内小幅变 化，从而分散了谐波干扰能量。扩展的频谱降低了窄带EMI，简化了系统的设计。

 

特性曲线及波形

 

（VDD=18V，TA=25℃ 除了另作说明）。

 

 

使用TT6890A替换XX2362对比测试

 

1、AC264V 待机

2、过流恢复点对比

3、效率对比

 

对比情况，TT6890A整体效率比XX2362偏高0.3%，另外5V3A属于整机处于轻载段红色字体AC230V 25%载XX处于临界burst，TT处于完全burst，XX2362效率此点偏低2.2%。

 

对比结果：整体性能基本无差异，可以相互替代使用。

 

关于思睿达微电子

 

思睿达是专注于ADC、DAC、PoE和DC/DC 芯片级解决方案的高科技企业，目前同步推广启臣微全系列产品，希望将启臣15年在电源行业这份积淀，这份坚持发扬光大。思睿达同时也可以提供芯片级定制服务。

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